8&12英寸，这家SiC企业又有新进展
1月26日，天域半导体宣布与青禾晶元正式订立战略合作协议。双方将依托天域半导体在碳化硅材料领域的积累，以及青禾晶元在键合设备定制与优化方面的能力，共同推进键合碳化硅、超大尺寸（12英寸及以上）SiC复合散热基板等键合材料的工艺开发与技术迭代。
根据协议，天域半导体将主导键合SiC、SOI、POI、12英寸SiC复合散热基板及中介层等材料的工艺开发与量产导入。青禾晶元则将提供离子注入、晶圆级键合、精密抛光、晶体修复及剥离等方面的设备及技术支持，具体包括：
为8英寸单晶 — 多晶SiC键合衬底提供设备定制、优化及工艺调试；
为8英寸单晶 — 单晶SiC键合衬底、8英寸&12英寸SOI及12英寸Si on SiC键合衬底提供整线设备选型、设备定制、工艺优化及量产支持；
提供适用于金刚石、氧化镓、氮化镓、铌酸锂、钽酸锂等材料的键合设备。
天域半导体董事会指出，此次合作结合了公司在SiC外延片领域的产业实力与青禾晶元在键合集成技术及设备方面的专业知识，旨在共同开发先进的键合材料解决方案并优化生产工艺。此举不仅有助于提升天域在大尺寸复合基板方面的技术能力、保障设备稳定性，也将进一步巩固其市场地位。
值得关注的是，天域半导体在资本市场上近期亦有重要进展。据“行家说三代半”此前报道，2025年12月，公司成功在港股上市，成为国内“SiC外延第一股”。其全球发售3007.05万股H股，香港公开发售获60.63倍认购，国际发售获2.47倍认购，每股定价58港元，净筹资约16.73亿港元（约合人民币15.2亿）。所募集资金将重点用于产能扩张、研发深化与产业链整合，以强化在碳化硅外延领域的领先地位。
在产能布局上，天域半导体位于东莞生态园的新基地SiC产线已顺利通线。该基地预计将与天域总部42万片年产能形成协同，助力东莞生态园基地快速达成新增38万片产能的目标，推动天域总产能向80万片迈进，并为远期200万片/年的产能规划奠定基础。
而作为合作方的青禾晶元，在技术研发领域同样成果显著。同样在2025年12月，其与中国科学院微电子研究所、香港大学、武汉大学、中国科学院物理研究所等单位合作，成功研制出大尺寸4H/3C-SiC单晶复合衬底，电阻率降低至0.39 mΩ·cm。
研究团队通过“高质量4H-SiC薄膜+低阻3C-SiC衬底”的异质集成方案，在保持4H-SiC高结晶质量与高击穿场强的同时，充分发挥3C-SiC的低电阻特性，突破了长期制约器件发展的技术瓶颈。该复合衬底电阻率降至0.39mΩ•cm，较传统4H-SiC衬底降低45倍，为低压SiC功率器件的性能跃升开辟了新路径。
此外，基于该复合衬底，团队制备的200V肖特基势垒二极管的比导通电阻低至0.50 mΩ·cm²，较传统4H-SiC衬底器件降低47%，浪涌电流耐受能力达312A，表现出优异的电热鲁棒性。更关键的是，在100V-600V击穿电压范围内，基于该工程化衬底的器件比导通电阻可降低3-6倍，展现出显著的性能优势。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
