中瑞宏芯发布第三代碳化硅MOSFET平台，助力充电桩能效全面提升
在2025年12月4日行家说第三代半导体举办的碳化硅&氮化镓产业高峰论坛中，苏州中瑞宏芯半导体公司CEO张振中博士向大家展示了《碳化硅MOSFET在新一代充电桩电源方案上的应用优势》。张博士表示，随着2026年充电桩能效新国标（GB46519-2025）的正式实施，SiC技术已成为推动行业升级的核心驱动力，同时中瑞宏芯第三代碳化硅MOSFET平台产品的全面布局，将为高效、高功率密度充电模块提供坚实技术保障。
新国标驱动下的技术升级需求
张振中博士指出，即将于2026年11月1日实施的《GB46519-2025》充电桩能效强制性国标，对一体式直流桩的充电效率提出了明确要求：基础效率须达到94.5%以上，一级能效产品则需不低于96.5%。他认为，这一标准不仅推动了行业技术路线的升级，也为SiC器件的大规模应用提供了明确的政策牵引。相比传统硅基方案，SiC器件在开关频率、导通损耗和高温稳定性等方面具备显著优势，能将系统效率从当前的95.5%水平提升至97%以上，成为企业应对新国标、提升产品竞争力的必然选择。
第三代SiC平台实现技术突破
在技术实现层面，张振中博士着重介绍了中瑞宏芯针对充电桩市场专项开发的第三代碳化硅产品。根据公司公布的充电桩领域产品路线图，中瑞宏芯已规划至2026年完整的MOSFET与JBS产品序列。
其中，专门针对充电桩应用的产品覆盖750V、1200V及1500V全电压等级，其中1500V平台作为面向高功率充电桩及光伏储能等高压应用的关键布局，已推出35mΩ与25mΩ等规格的MOSFET产品，可满足未来更高功率充电桩的能效需求。同步迭代的第三代JBS二极管也针对充电桩应用优化，覆盖1200V与1500V电压等级，电流规格延伸至50A，在正向压降与反向恢复特性上表现突出。
除标准化产品外，张振中博士还提到，中瑞宏芯可支持面向不同电源拓扑的定制化开发。目前，中瑞宏芯已为多家充电桩企业提供适配于Vienna整流、全桥LLC/移相全桥变换器和新一代单级拓扑的SiC解决方案，并实现批量交付。他认为，这种“平台+定制”的模式，能更好地响应客户在系统效率、功率密度及成本方面的综合需求，助力整机企业加速产品迭代与市场推广。
产业协同与未来发展
目前，国内头部充电桩企业已在积极布局SiC解决方案。行业数据显示，2025年新增充电桩中SiC渗透率已超过40%，预计新国标实施后这一比例将突破70%。中瑞宏芯作为国内SiC器件领域的领先企业，将继续深化与产业链各方的合作，推动充电桩产业向高效化、高密度化方向发展。
中瑞宏芯已构建完整的碳化硅工程实验中心与可靠性测试平台，并与国家第三代半导体技术创新中心共建联合研发中心，为产品性能的持续提升提供技术保障。公司将继续专注于SiC功率器件的前沿技术研发，为新能源产业的高质量发展提供坚实的半导体基础。
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