新增6起SiC合作，涉及小鹏汽车、深向科技等
近期，国内碳化硅半导体与新能源产业合作动态频传，多家企业通过战略携手共同推进技术创新与产业化落地，为行业注入新发展动力：
芯合半导体与深向科技：签署《SiC高压功率芯片车芯协同产业化项目合作协议》；
联创汽车电子与扬杰科技：基于下一代车型平台规划，开启多个关键功率半导体研发项目；
欣锐科技与小鹏汽车：联合研发的小鹏混碳电控＋单级OBC全新多合一技术平台产品下线；
羿变电气与亿维特：签署战略合作协议，共拓eVTOL碳化硅应用；
方正微电子、爱科赛博、邑文科技：共建第三代功率器件联合实验室；
中联发展控股与龙腾半导体：拟在中国香港共建宽禁带功率半导体研发中心。
芯合半导体与深向科技：
达成SiC高压功率芯片合作
1月6日，据“芯合半导体”消息，在合肥市新能源汽车产业高质量发展推进会上，他们与深向科技正式签署《SiC高压功率芯片车芯协同产业化项目合作协议》，标志着双方在车规级SiC功率半导体领域的合作进一步深化。
芯合半导体总经理赵清表示，此次合作是公司车规级芯片产业化的重要里程碑，未来将依托合肥新能源汽车产业生态，联合产业链伙伴加速技术迭代，推动国产SiC芯片在高端车型的规模化应用。据悉，通过本次合作，双方将共同攻克车规级SiC芯片的上车应用难题，为行业提供高性能、高可靠性的国产化解决方案。
联创汽车电子与扬杰科技：
深化智能汽车功率半导体合作
近期，扬杰科技宣布与联创汽车电子正式签署战略合作协议，双方将聚焦智能汽车功率半导体领域，以国产化替代为核心，构建全品类供应支撑体系。
根据协议，在产品创新方面，双方将建立 “需求-开发-验证”一体化协同流程：联创汽车电子将基于下一代车型平台规划，向扬杰科技定向开启多个关键功率半导体研发项目；扬杰科技研发团队将在概念阶段介入，共同开发新封装产品，逐步提升合作份额。
具体来看，扬杰科技研发团队将介入联创新一代车型平台规划，围绕底盘域、电驱系统等核心应用，共同开发750V/1200V SiC模块、双面散热IGBT等新封装器件，预计2026年第四季度实现批量搭载。
官网透露，联创汽车电子有限公司成立于2006年，深耕智能底盘、智能驾驶、智能网联三大核心业务领域，已与上汽通用、上汽通用五菱、上汽乘用车、上汽大众、上汽大通、理想汽车、爱驰汽车、合众新能源、长城汽车、东风汽车、比亚迪等26家整车厂及零部件企业实现了合作。
欣锐科技与小鹏汽车：
联合研发SiC多合一平台量产落地
1月5日，据“欣锐科技”官方消息，他们与小鹏汽车在深圳领亚工厂联合举办“小鹏混碳电控＋单级OBC全新多合一技术平台产品”下线和发布仪式。双方联合研发的新一代电驱与车载二合一电源（OBC+DC-DC）技术平台同步宣告量产落地，该平台将直接搭载于小鹏系列车型。
据悉，该技术平台首次实现“混碳技术+单级OBC+域控集成”三大前沿技术的深度融合，且已具备规模化交付能力。其中，“混碳技术”通过先进的控制驱动算法，创新性融合SiC芯片与IGBT芯片，以更低成本实现更高能效。
与此同时，“单级OBC技术”摒弃了传统多级拓扑结构，采用高性能单级车载充电机（OBC）方案，不仅大幅提升充电效率与功率密度，更有效减少元器件数量及能量转换损耗，实现“小体积、强性能”的突破，显著优化补能体验。
羿变电气与亿维特：
推进eVTOL碳化硅应用
据“羿变电气”官方消息，12月29日，他们与亿维特在武汉新能源研究院签署战略协议，此次合作标志着双方关系从业务协作升级为深度战略协同，旨在合力突破关键技术，引领绿色航空装备发展。
根据协议，双方将围绕电动垂直起降飞行器（eVTOL）领域，依托亿维特在先进航空科技与整机研发方面的产业经验，以及羿变电气在碳化硅模块及集成应用的技术积淀，共同开展碳化硅功率系统在航空级应用中的创新研发与产业化推进。
亿维特总经理赵继伟表示，期待羿变电气作为核心合作伙伴深度嵌入研发流程，共同完成从样机到适航产品的全链路开发。羿变电气董事长康勇指出，公司已将航空领域列为战略重点，将依托以往与航空院所的合作经验，聚焦关键技术突破，推动产品指标达到行业领先。
方正微电子、爱科赛博、邑文科技：
共建第三代功率器件联合实验室
据“方正微电子”官方消息，12月26日，方正微电子、爱科赛博与邑文科技正式达成战略合作，共同成立“第三代功率器件半导体装备应用产业链联合实验室”，推动碳化硅技术的研发创新与产业化应用。
据消息，此次的三方签约合作，构建了一个独具特色的“技术-应用-反馈”闭环生态：方正微电子将提供高性能、高可靠性的SiC MOS产品；爱科赛博将利用方正微电子的SiC MOS产品，开发出更高效、更紧凑、更可靠的高端电源设备；邑文科技将为实验室提供先进的工艺装备支持，将前两者产品集成应用于其先进的半导体制程装备之中。
中联发展控股与龙腾半导体：
合作设立功率半导体研发中心
据“中联发展控股”官方文件披露，1月6日，他们与铂威有限公司订立一份不具法律约束力的谅解备忘录，双方建立战略合作伙伴关系，共同分享资源及探讨在香港建立先进功率半导体技术研发中心。
据悉，该研发中心将聚焦SiC和GaN等宽禁带半导体技术，围绕产品设计、测试与可靠性、应用开发及先进制造技术四大核心方向开展系统化研发，不仅涵盖高压高频芯片结构创新、专用器件开发和先进仿真建模，还将着力攻关外延生长、关键工艺优化与智能制造成本控制，构建从设计到量产的完整技术链，针对新能源汽车等关键领域，提供涵盖拓扑、驱动、热管理的完整解决方案。
文件进一步透露，合作方为一家于香港注册成立的有限公司，其为龙腾半导体的全资附属公司，龙腾半导体是一家领先的功率半导体器件及系统解决方案提供商。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
