成功导入多家头部厂商，这家SiC企业跑出“加速度”
近年来，受益于产能持续释放与工艺不断成熟，SiC在新能源汽车、光储充、工业控制等关键领域的渗透速度显著加快，市场关注度与热度居高不下。然而，SiC行业也陷入了同质化竞争加剧的困境，行业呈现出机遇与挑战并存的态势。
在此背景下，国内 SiC 产业中跑出了一匹令人瞩目的黑马 —— 成立不足4年的凌锐半导体，凭借迅猛的市场拓展态势，已与包括多家上市公司在内的一众头部企业达成深度合作，成功实现在新能源汽车、数据中心、光储充一体化、工控电源等核心市场的全面突破。
值得深入探讨的是，凌锐半导体在日趋激烈的行业竞争中实现快速崛起，究竟依托何种核心竞争力？为探寻这一关键答案，“行家说三代半”专门对凌锐半导体相关负责人展开了专访。
4年跑出“加速度”
多领域市场快速增长
从发展轨迹来看，自2022年正式成立后，凌锐半导体的市场拓展呈现出清晰的阶梯式推进特征，在短短数年内完成了从细分领域到多场景覆盖的布局。
图：凌锐半导体市场发展历程
2023年，凌锐半导体聚焦储能与充电桩两大主流应用赛道，完成行业头部客户的供应链导入，并实现批量出货。仅用一年时间，凌锐半导体就迅速通过市场验证，并成功为后续拓展积累了客户资源与应用数据。
同年，凌锐半导体SiC MOSFET 产品顺利通过上市公司大客户储能项目严苛验证，成功斩获10万只批量订单。目前，凌锐半导体已与盛弘等储能领域头部企业达成深度合作，并凭借高可靠性能成功切入户储赛道，进一步拓宽了储能应用场景覆盖。
图：凌锐半导体储能PCS应用方案
其SiC MOSFET器件不仅大幅提升充电系统能效，更有效缩减设备体积与重量，显著延长系统使用寿命，从而获得了众多终端企业的青睐。
图：凌锐半导体充电桩模块应用方案
2024年，凌锐半导体将市场范围延伸至工业控制电源领域，其产品获得多家客户批量应用，进入量产交付阶段，实现了从新能源应用到工业场景的延伸布局，市场覆盖维度进一步拓宽。
截至2025年，凌锐半导体产品广泛应用于电动汽车、充电桩、光伏、储能、数据中心以及电网等行业，与等多家头部客户达成合作，覆盖SiC器件的核心应用场景，完成了从单一赛道突破到多行业应用渗透的布局，市场拓展速度表现优异。
凌锐半导体负责人透露，2025年他们持续斩获多家行业大客户订单，实现多领域关键突破：在车载电源领域，已与国内多家头部 Tier1 厂商达成深度合作；在数据中心领域，成功携手行业头部 HVDC 厂商推进合作落地；在化成电源领域，已与核心客户携手实现量产交付。
图：凌锐半导体主驱逆变器/OBC应用方案
伴随市场端的快速拓展，凌锐半导体的出货量同步实现飞跃式增长。凌锐半导体负责人进一步表示，除了在上述领域持续深耕外，他们还将重点布局电焊机、家电、eVTOL、船舶等新赛道，开辟新的增长路线。
硬核技术+高可靠性
协同驱动市场突破
短短数年内，凌锐半导体便完成了从产品导入到多高端市场批量应用的跨越式发展，并实现出货量飞跃增长，其背后的核心驱动逻辑极具探讨价值。
对此，凌锐半导体负责人亦给出清晰答案：这是团队、技术基因与市场导向三方协同作用的结果。在这三大关键因素中，深厚的技术实力无疑是支撑其快速敲开高端市场大门的核心底气——这不仅植根于顶尖团队的先天优势，更直观体现在产品迭代效率及可靠性保障上。
“行家说三代半”亦观察到，凌锐半导体能在短时间内快速打开市场局面、收获多领域及头部客户青睐，实则是市场需求与企业硬实力双向契合的必然结果。依托强大的技术基因与成熟的产业协同模式，凌锐半导体不仅实现高效技术迭代，更在产品可靠性上同步筑牢硬防线，最终在市场端实现快速突破：
• SiC MOSFET技术迭代
凌锐半导体的技术底气，来自于核心团队的“大厂基因”。凌锐半导体负责人表示，公司研发团队均出身于SiC功率器件国际巨头，不仅均有超过15年的行业经验，积累了深厚的功率器件开发经验，更对行业趋势及供应链管理有着深刻洞察，能有效地研发和推出具有前瞻性和领先性的新一代产品。
自2022年成立以来，凌锐半导体便快速聚焦碳化硅平面 MOS 与碳化硅沟槽 MOS 两大核心方向，以技术迭代驱动产品落地，至今已完成三代技术平台的开发。
图：凌锐半导体SiC MOSFET迭代历程
凌锐半导体负责人透露，公司第二代平面SiC MOSFET 早在2023年便实现量产落地，其导通电阻（Rsp）低至 2.5mΩ・cm²，跻身国内领先水平，良率同步突破90%，并顺利通过车规级严苛认证，当前已实现市场大批量稳定交付。
从具体数据来看，凌锐半导体第二代SiC MOS相比前代产品，开关损耗降幅超过30%，且在相同测试条件下，其Eon与Eoff与国内外同类产品相比表现优异，并且能保持更低的结温。这表明，凌锐半导体SiC MOS在降低开关损耗实现了重要突破，且系统散热设计裕量更大，为高性能功率系统提供了有力支持。
图：凌锐半导体SiC MOSFET开关损耗对比
此外，凌锐半导体SiC MOSFET在提升整机系统效率方面展现出显著优势。在某头部客户的实际应用系统中，采用凌锐半导体SiC MOSFET方案后，系统效率提升了0.5%左右，且系统总体损耗降低了约10%，带来了更可观的电能节约、更低的设备发热量，从而在提升功率密度的同时，增强了系统长期运行的可靠性。
图：采用凌锐半导体SiC MOSFET的系统效率优势
凌锐半导体负责人表示，未来他们将持续以市场需求为核心导向，深度挖掘不同应用场景的差异化需求，聚焦高可靠性功率器件的技术深耕与产品迭代；一方面持续攻关核心参数优化，进一步降低器件导通电阻，提升产品性能竞争力；另一方面将重点发力沟槽型技术落地与8英寸产能合作布局，通过技术创新与产能升级双向驱动，稳步实现产品成本优化，为客户提供更具性价比的高可靠功率器件解决方案。
• SiC MOSFET可靠性保障
另一方面，凌锐半导体由多家上市公司和多家战投资本参与投资，股东覆盖全产业链资源，包括衬底、外延、代工、封测、下游应用等，能为公司提供丰富的产业资源支持。同时，凌锐半导体与国内外顶尖FAB厂形成深度协同合作，实现设计、制造、封装测试等核心环节的高效联动，在生产环节成功筑牢产品的高端品质与量产稳定性基础。
图：凌锐半导体SiC MOSFET可靠性保障
依托产业链协同赋能与技术不断突破，凌锐半导体将可靠性保障贯穿产品全生命周期。在材料端，依托多年积累的材料技术经验，凌锐半导体通过定制外延材料，将BPD缺陷密度降至0，满足车规级高可靠性要求；同时在多个量产环节增设专业管控流程，有效解决因SiC材料缺陷带来的潜在问题。
在产品验证方面，新一代SiC MOSFET不仅通过德国 TUV 莱茵 AEC-Q101 车规级认证，并通过了HVH3TRB、HTRB和HTGB（175℃ 2000小时）等多项加强性测试，确保长期苛刻环境下的稳定运行；同时顺利通过 DHTRB ≥50V/nS @175℃极限考核，以超行业常规标准的要求，印证了高可靠性水准。
在极端应用场景中，凌锐半导体SiC MOSFET 表现同样突出，其具备极强的短路与雪崩承受能力，能够从容应对功率系统运行中的突发异常情况，有效降低系统在极限工况下的故障率。这种极端场景适配能力，既拓宽了产品应用边界，更从终端层面强化了系统整体可靠性与安全性，为客户提供更稳健的解决方案。
由此看来，凌锐半导体的快速崛起，绝非行业竞争中的偶然突围，而是团队素质、技术实力、供应链保障等核心要素深度协同的必然结果。
立足当下，伴随SiC产业加速扩圈的浪潮，凌锐半导体正凭借其核心竞争优势，在深耕现有应用领域的同时积极拓展新赛道。未来，这家兼具技术深度、量产能力与市场敏锐度的企业，必将在国产 SiC 器件发展进程中扮演更关键的角色，以持续的技术创新与稳健的市场拓展，为产业高质量发展注入强劲动力。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
