SiC连传捷报，三企取得关键进展
近期，国内碳化硅产业在材料、设备及加工等关键环节取得系列突破，超芯星、晶升股份、晟光硅研等企业进展显著，有力助推了国产产业链的构建与完善。
超芯星：
发布高纯度P型SiC衬底
12月25日，超芯星半导体在全球同步推出High Purity P-type SiC（高纯度P型碳化硅）衬底。该产品通过将Fe、Ni、Cr、V等关键金属杂质含量由传统ppm级降至ppb级，实现三个数量级的跨越，攻克了长期制约全球P型碳化硅衬底行业发展的核心痛点。
高纯度P型碳化硅衬底是制造超高压IGBT的关键基础材料。此次突破不仅填补了国产高端材料的空白，其“超低金属杂质+器件结构适配”的特性，使其可直接作为IGBT的P型集电区使用，无需额外工艺步骤，显著提升器件良器件良率与稳定性。这将有力推动我国在新能源、智能电网等领域的高压功率器件国产化进程。
晶升股份：
12英寸SiC单晶炉交付
12月29日，晶升股份宣布，其自主研发的12英寸碳化硅单晶炉已完成小批量发货并正式交付客户使用。该设备的落地应用，为12英寸碳化硅材料在先进封装、AR眼镜等新兴领域的发展提供了国产化装备支撑。
除12英寸产品外，晶升股份在碳化硅设备领域持续完善布局。据“行家说三代半”此前报道，今年8月，晶升股份推出SCML320A系列水平式8英寸碳化硅外延炉，其关键性能已达到国际同类产品先进水平，有望进一步推动产业提质升级。同期，多线切割设备、减薄设备及抛光设备陆续上新，在SiC关键设备领域产品线的进一步扩展，为产业链整体能力的提升注入持续动能。
晟光硅研：
突破12英寸SiC晶锭加工技术
12月26日，晟光硅研半导体宣布，其在大尺寸碳化硅衬底制备领域取得重要进展。通过采用自主研发的水导激光加工技术，公司成功对12英寸超大尺寸碳化硅晶锭实现了高质量、高效率的精密加工。
面对行业在提升衬底尺寸、降低芯片成本、提高产出效率等方面的共性挑战，晟光硅研此次在水导激光加工技术上展现出显著优势。据悉，通过使用稳定的五轴水导激光设备并结合成熟工艺参数，该12英寸碳化硅晶锭在滚圆加工后，尺寸精度高、切割面光滑、外观完整且无明显缺陷。加工后晶锭直径达295.16mm，深度为35.74mm。该技术还具有应对超厚材料能力强、加工质量卓越、适用于大尺寸工件、环保高效等特点，有效突破了传统加工方式的局限。
目前，此项水导激光加工技术已完成从6英寸至12英寸的全尺寸突破，并进入小批量加工阶段，不仅能提升衬底产出率、降低综合成本，也为氮化镓等其它宽禁带半导体材料的高精度加工提供了新的技术路径。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
