2家SiC企业透露12英寸进展
12英寸碳化硅衬底技术近期取得关键突破，Coherent与永泉晶圆两大企业已相继宣布其量产进展，可为AI数据中心日益严峻的热管理难题提供更高效的解决方案。
据《2025 碳化硅（SiC）衬底与外延产业调研白皮书》显示，截至2025年9月，国内外合计已有超10家企业成功制备12英寸SiC晶体或衬底，亦重点布局于AR光波导、CPU中介层等应用领域。
Coherent：
新增12吋SiC衬底产能
12月3日，Coherent在官网宣布，其下一代12英寸碳化硅平台取得了重大里程碑，旨在满足人工智能数据中心基础设施日益增长的热管理需求。
Coherent表示，该平台的导电碳化硅衬底具有低电阻率、低缺陷密度和高均匀性，从而实现低功耗、高频和良好的热稳定性。在人工智能和数据基础设施领域，其优异的性能可提升下一代数据中心系统的能效和散热性能。
该技术还可制造更薄、更高效的波导，用于增强现实智能眼镜和虚拟现实头显，从而提高紧凑型沉浸式显示模块的可靠性。在电力电子领域，12英寸晶圆尺寸的转变使得每片晶圆可容纳更多器件，并降低单芯片成本，从而支持电动汽车、可再生能源系统和工业自动化等应用。
Coherent公司高级副总裁兼总经理Gary Ruland表示，“人工智能正在改变数据中心的散热管理格局，而碳化硅正成为实现这种可扩展性的基础材料之一，Coherent计划大规模量产的12英寸平台，将带来更高水平的散热效率，从而实现更快、更节能的人工智能数据中心。
永泉晶圆：
12吋SiC量产出货
12月8日，据中国台湾工商时报报道，永泉晶圆已成功研制出12吋SiC单晶晶锭，于今年9月达成稳定量产，12吋产品已量产并出货国际客户，快速切入AI伺服器与HPC所需的高导热散热材料供应链。
文章进一步称，永泉晶圆投入SiC技术逾8年，完整掌握粉末制造、籽晶技术、热场设计、长晶炉研发以及晶锭等后段加工工艺，于2024年在桃园中坜建置先进生产基地，6吋与8吋SiC单晶晶锭量产良率稳定超过85%，晶锭厚度达25–35mm。
永泉晶圆发言人戈副总指出，目前永泉晶圆6吋与8吋产品已通过日本多家车用大厂测试并导入使用，应用于电动车逆变器、变压器、OBC车载充电器与快充系统，12 吋SiC产品已被国际客户导入高端IC 散热方案。
值得注意的是，今年5月，永泉晶圆获选中国台湾经济部产业升级创新平台的创新优化计划——「高散热SiC单晶基板开发计划」，并与工研院共同研发热传导系数超过350W/mK的复合型新材料，以取代高端ALN DPC基板。戈副总表示，此技术将对射频（RF）前端模组与功率模组带来重大革命。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
