超500位产业精英集结，洞见SiC发展新趋势
2025年，第三代半导体产业风起云涌，技术迭代与市场应用正步入深度融合的“十字路口”。值此关键节点，【2025行家说三代半年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛】隆重启幕，汇聚产业上下游精英，共同研判技术路线、把脉市场动向，为洞察未产业格局厘清方向、注入动能。
年会第一天，由海目芯微冠名的“SiC&GaN的变革、机会、趋势与展望”与“SiC供应链技术升级峰会”两大主题专场拉开序幕，吸引了华为、比亚迪汽车、广汽集团、蔚来汽车、阳光电源、联合汽车电子、日产技术等终端头部企业，汇聚了罗姆半导体、博世半导体、意法半导体、三菱电机、三安半导体等产业链核心企业，围绕SiC与GaN的技术优化与突破、供应链协同等核心议题展开了深度交流。
与此同时，《2025 SiC衬底&外延产业调研白皮书》于现场正式宣告发布。该白皮书由行家说产业研究中心牵头编制，基于大量一线调研与数据分析，梳理了SiC产业在技术演进、供需格局等方面的最新态势，旨在推动供应链的协同发展。
直击现场
开幕报告
行家说CEO
蔡建东
会议伊始，行家说CEO蔡建东发表了以“SiC和GaN全球市场规模及未来发展空间与挑战”为主题的开幕报告。他在报告中系统梳理了第三代半导体在全球范围内的市场规模、增长动力与潜在空间，并深入分析了产业发展中所面临的技术挑战与供应链瓶颈，为与会者提供了前瞻性的战略洞察。
罗姆半导体
高级经理 苏勇锦
回归原点，开放共赢-罗姆 EcoSiC™ 赋能电动汽车“智能”出行
会议现场，罗姆半导体高级经理苏勇锦讲解了《回归原点，开放共赢-罗姆 EcoSiC™ 赋能电动汽车“智能”出行》报告。
近年来，罗姆在汽车电子领域的合作布局持续深化，相继与奇瑞汽车、吉利汽车、舍弗勒、联合汽车电子等厂商达成合作。基于此，苏勇锦经理重点分享了罗姆半导体的EcoSiC™功率半导体如何在主驱逆变器、车载充电器等关键应用中实现更高效率、更小体积和更高电压，进而推动电动汽车性能提升与技术革新。
能华半导体
产品总监 武乐可
“卷”时代下的 GaN 功率器件
能华半导体产品总监武乐可作《“卷”时代下的GaN功率器件》报告，分享了对GaN产业发展态势的最新研判。
目前，GaN也进入技术迭代的成长期，一方面在数据中心、家用电器等领域迎来规模化或商业化应用的临界点，另一方面下游应用对于GaN器件降本增效的呼声越来越大。围绕当前GaN功率器件所面临的“内卷化”趋势，武乐可总监结合能华半导体的技术积累与市场洞察，深入探讨GaN功率器件在高效率、高频率、高功率密度等方向的最新进展与发展机遇。
智融科技
ACDC产品经理 陈海鹏
第三代半导体GaN&SiC的驱动解决方案及对比
智融科技ACDC产品经理陈海鹏发表了题为《第三代半导体GaN&SiC的驱动解决方案及对比》的主题演讲。
智融科技是一家专注于电源管理芯片领域的数模混合芯片设计企业，产品广泛应用于移动电源、车载充电器、氮化镓充电器等。本次围绕氮化镓与碳化硅的核心驱动方案，陈海鹏经理重点分享智融科技在相关领域的产品技术优势，同时针对两者的应用方案展开专业讲解，为参会者提供兼具实用性与前瞻性的行业参考。
华工激光
销售总监 肖冲
先进激光技术助力SiC功率半导体新发展
华工激光销售总监肖冲在大会上分享了《先进激光技术助力SiC功率半导体新发展》主题演讲，深入解析华工激光在SiC加工的技术突破与解决方案。
随着SiC产业量产需求持续攀升，传统工艺面临更高挑战，激光技术作为新一代先进加工工艺逐渐成为新的选择，聚焦碳化硅加工关键工艺环节，华工激光构建覆盖衬底检测、激光标刻、欧姆接触激光退火、晶圆表切开槽、晶圆改质隐形切割、自动裂片等SiC制造关键工序的完整产品矩阵，已实现了对SiC器件前道制造与后道封装关键环节的全流程贯通。
昕致科技
市场应用中心总监 徐星德
SiC在不同应用场景下的优势和劣势
聚焦SiC的实际应用进展，昕致科技市场应用中心总监徐星德在大会上分享了《SiC在不同应用场景下的优势和劣势》主题演讲。
昕致科技作为昕感科技旗下子公司，专注于SiC、Si等功率器件的研发、设计、应用和销售，可围绕客户需求提供行业领先的SiC解决方案。徐星德总监具体讲解了SiC器件在不同场景下的应用情况，并认为随着终端应用需求日益多元化，功率器件不仅需要应对系统提出的新要求，更需持续提升其性能与可靠性，以满足日趋严苛的应用标准。
德氪微电子
商务拓展总监 黄亨丰
毫米波无线隔离技术及其应用前景
德氪微电子商务拓展总监黄亨丰在大会上发表《毫米波无线隔离技术及其应用前景》主题演讲，揭示新一代隔离技术如何助力高性能SiC器件落地应用。
据黄亨丰总监介绍，基于毫米波无线隔离技术，德氪微电子已发布全球首颗超高耐压毫米波隔离驱动芯片——DKV56系列，目前已投入量产。作为新一代高性能隔离式IGBT、MOSFET、SiC栅极驱动芯片，DKV56系列在高耐压、高CMTI、高频等多个关键指标上实现突破，为SiC MOSFET等高性能芯片提供了可量产、可落地的驱动方案。
英搏尔
电驱CTO 刘宏鑫
从价格战到价值战，第三代功率半导体赋能新能源汽车产业升级
英搏尔电驱CTO刘宏鑫在大会上发表《从价格战到价值战，第三代功率半导体赋能新能源汽车产业升级》主题演讲，重点分享其如何利用SiC/GaN技术开发更高效的电驱及电源系统。
针对第三代功率半导体在新能源汽车的应用深化，并围绕SiC、GaN在新能源汽车批量应用所面临的挑战，刘总进行了深入分析与发展展望。据悉，英搏尔已推出基于扁线电机、SiC 技术及 800V 平台化架构的第三代六合一动力系统，并通过技术创新、产品集成化等途径实现成本优化。
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南砂晶圆
研发总监 邵辰
超低缺陷车规级大英寸SiC衬底制备
下午，南砂晶圆研发总监邵辰率先在大会上分享了《超低缺陷车规级大英寸SiC衬底制备》主题演讲。
南砂晶圆成立于 2018年9月，依托山东大学晶体材料国家重点实验室的技术沉淀，已在碳化硅单晶生长及衬底制备技术上取得重大突破。目前，南砂晶圆已经成功研发并推出4-12英寸导电型衬底、高纯半绝缘衬底以及光学级衬底，衬底性能特征良好，并可视市场需求不断丰富产品线，为下游应用提供稳定的材料支持。
海目芯微
董事长 蒋绍毅
坚守·破局 与客户共创碳化硅制造新未来
海目芯微董事长蒋绍毅在大会上发表《坚守·破局 与客户共创碳化硅制造新未来》主题演讲，围绕SiC长晶及配套装备的最新技术进展、装备生态构建路径以及产业协同新模式等进行深度分享。
在SiC长晶与关键装备领域，海目芯微依托海目星集团在激光与自动化领域的深厚积累，持续推动晶体生长、晶锭及衬底加工、器件制造环节的技术革新与装备升级。海目芯微致力于构建覆盖“材料制备—晶锭及衬底加工—器件制造”的全系列装备生态，以系统化、自动化、高性能的装备解决方案，助力客户提升产品良率与生产效率，降低成本，推动产业实现更高效、更协同的发展。
创锐光谱
总经理 陈俞忠
SiC衬底位错无损检测技术助力晶圆良率预测与产业链降本增效
创锐光谱总经理陈俞忠分享了《SiC衬底位错无损检测技术助力晶圆良率预测与产业链降本增效》主题报告，重点分享创锐光谱在碳化硅衬底位错缺陷光学无损检测技术上取得的突破。
目前针对SiC材料端的检测，创锐光谱已推出SiC衬底位错无损检测设备、SiC晶锭无损检测设备和SiC外延少子寿命成像设备。其中衬底位错无损检测设备可实现TSD、TED、BPD的一次全检，检测通量4-5WPH，满足量产测试的条件，更可通过检测结果，预测及提升后道晶圆良率，为整个SiC产业链降本增效提供了关键的技术支撑。
浙江晶瑞
营销总监 毛智敏
大尺寸碳化硅进展和应用
浙江晶瑞营销总监毛智敏在大会上发表《大尺寸碳化硅进展和应用》主题演讲，重点分享了浙江晶瑞突破大尺寸碳化硅衬底关键技术的最新进展。
据介绍，浙江晶瑞已经推出12英寸导电型SiC晶体、8英寸导电型SiC晶片、8英寸光学级SiC晶片等多款产品，其中12英寸导电型SiC产品各项技术指标已达行业先进水平，具备高热导率、高击穿电场和高电子饱和速度等优势；8英寸光学级SiC晶片凭借高折射率、低色散和高热导率，在提升显示效果、减轻产品重量的同时能有效解决散热问题。
行家说Research
研究副总监 方晖
新产业格局下，SiC衬底与外延市场的思考及展望
针对SiC衬底与外延产业环节产生的新变化，行家说Research研究副总监方晖分享了《新产业格局下，SiC衬底与外延市场的思考及展望》报告，提出了其对产业趋势的新见解。
他认为，近几年来，SiC衬底行业开始进入“中国”时刻，6英寸SiC衬底出货量合计产能处于全球领先地位，同时在8英寸和12英寸SiC衬底方面也实现了全球领先。另一方面，受益于SiC晶圆需求增长拉动，SiC外延片的出货量也在大幅增长，未来随着应用场景的持续拓宽，SiC衬底&外延将迎来更广阔的市场空间。
利普思
产品高级经理 吕俊彬
后·宽禁带时代下功率器件走向
针对SiC功率器件的发展走向，利普思产品高级经理吕俊彬带来《后·宽禁带时代下功率器件走向》主题演讲，并提出深刻见解。
吕俊彬经理聚焦行业核心关切，深入解读下一个五年，利普思作为独立功率模块企业应对技术变革的战略思考与实践路径。值得关注的是，利普思产品出口超过15个国家，已经推出LPP系列、HPD、Easy、SOT227等SiC模块产品，并已获得北美知名新能源汽车Tier1项目定点。
华太电子
应用部经理 王畅畅
LoongSpeed RugSiC-下一代新型SiC功率器件
华太电子应用部经理王畅畅具体讲解了《LoongSpeed RugSiC-下一代新型SiC功率器件》报告，分享了他们在SiC功率器件上的最新进展。
会议现场，王畅畅经理深入解析了其RugSiC技术在高压、高频应用中的显著优势。他通过详实的性能对比与应用案例表明，该技术凭借其在比导通电阻等方面的优异特性，有望为未来电力电子系统开辟新应用场景，并为碳化硅技术的发展提供新思路。
博世
功率电子技术专家
Beushausen Steffen
Bosch SiC Technology - Ensuring Efficiency,
Robustness, and Long-Term Safety
博世功率电子技术专家—Beushausen Steffen发表《博世碳化硅技术—赋能高效能、高可靠性与长期安全性》主题演讲，讲解了博世在碳化硅技术上的最新突破。
据介绍，凭借逾20年的碳化硅经验，博世提供从裸片、MOSFET、功率模块到集成解决方案的全方位产品组合，目前博世还推出双通道沟槽MOSFET技术，通过优化栅氧化层保护与工艺控制，实现了低失效率和极小栅压漂移，显著提升了器件在高压汽车应用中的长期可靠性。
2025年SiC衬底&外延白皮书发布
会上，行家说三代半重磅发布了《2025 碳化硅（SiC）衬底&外延产业调研白皮书》，欢迎大家订阅！
现场同时举行了参编单位授证仪式。在本白皮书调研过程中，天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、浙江晶瑞、天成半导体、南砂晶圆、泰坦未来、阿尔法半导体、三安半导体、普兴电子、北方华创、科友半导体、京航特碳、奥亿达新材料、创锐光谱、西湖仪器、九域半导体、晶飞半导体、纳设智能、成都炭材、三义激光、海目芯微、中科慧远、中天晶科、东尼电子、西格玛、铭扬半导体、瑞霏光电、山东力冠、芯研科、芯三代等企业给予了充分支持，为白皮书的专业性与权威性提供了有力保障。
19家SiC/GaN企业展示创新方案
年会同期，活动现场设立SiC/GaN半导体全产业链精品展示区，意法半导体、瀚天天成、华太电子、中瑞宏芯半导体、南砂晶圆、三安半导体、海姆希科、能华半导体、海目芯微、华卓精科、智融科技、成都炭材、科瑞尔、快克芯装备、德氪微电子、芯研科、创锐光谱、华工激光、思锐智能等众多企业集中展示最新技术与产品方案，为参会企业提供更多的交流与合作的机遇。
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年会第一天，众多产业链核心企业全面展现了碳化硅（SiC）产业在技术突破、应用拓展与生态协同方面的核心进展。随着材料制备与器件工艺的持续成熟，SiC技术正不断攻克成本与可靠性等产业化关键瓶颈。展望未来，在新能源汽车、绿色能源等需求的强劲驱动下，SiC产业将步入规模化发展新阶段，并持续赋能终端应用的深刻变革。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
