突破性能极限！英诺赛科发布低压GaN 200A电机系统方案

在机器人、无人机、低压大功率伺服驱动等应用场景中，高效率、高功率密度的电机驱动方案一直是行业追求的焦点。面对日益增长的低压大功率电机驱动需求，传统硅基器件在开关频率、导通损耗和温升方面逐渐触及瓶颈。

英诺赛科最新推出的 INNDMD72V200A1 低压GaN电机驱动方案采用4颗并联的InnoGaN INN100EBD018EAD，搭配INS2040QC驱动芯片，集高性能、高集成度与高可靠性于一体，充分释放GaN器件在低压大电流应用中的潜力，完美适配大功率伺服应用对高性能电机驱动的需求。

为什么选择GaN？

英诺赛科基于低压GaN HEMT技术推出的低压GaN驱动方案- INNDMD72V200A1，验证了GaN在多管并联结构下的损耗与热表现，搭载FOC无感算法，支持实时电机测试，为方案落地提供了充分的数据支撑。

核心参数

尺寸：185 × 100 × 28 (mm)

应用器件：

INS2040QC × 3（驱动IC）

INN100EBD018EAD × 24（GaN分立器件）

输入电压范围：48Vdc-72Vdc

可持续输出相电流有效值（RMS）：200A Max

拓扑结构：三相逆变电路

控制方式：FOC无位置传感器算法 + 低边电流采样

系统框图

优越的性能

强大的带载能力

72V母线 + 自然冷却：最大相电流 90.8Arms

72V母线 + 5m/s风冷：最大相电流 203.7Arms

48V母线 + 自然冷却：最大相电流 96.2Arms

在保证散热能力的前提下，该方案显著提升了系统的功率密度，适用于对体积和效率都有严苛要求的应用场景。

优化的电路与布局

INNDMD72V200A1低压GaN电机驱动方案采用英诺赛科自研驱动IC+GaN器件的4管并联结构，从驱动环路到功率环路均经过精心优化，充分发挥GaN器件的高频、低损耗特性。

完整的电驱测试平台

控制板集成FOC无感算法，支持低边采样，用户可连接电机进行实时测试与性能验证，大大缩短开发周期。

电机测试系统

实测数据

我们在不同母线电压与散热条件下进行了系统测试，以下是部分关键数据摘要：

1. 48V母线（散热器+无风扇）

2. 72V母线（散热器+无风扇）

3. 72V母线（散热器+5m/s风冷）

应用领域

机器人关节驱动

无人机推进系统

低压大功率伺服电机

工业自动化设备

英诺赛科INNDMD72V200A1方案不仅展示了GaN技术在低压大功率电机驱动中的卓越性能，更提供了从器件选型、电路设计到算法控制的完整解决方案。InnoGaN 将助力新一代电机驱动系统实现更高效率、更小体积、更强带载能力。

如需进行demo板申请或合作开发支持，欢迎与我们联系：MARCOM@innoscience.com

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英诺赛科 (02577.HK) 是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有1100项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。

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