杂感低至1nH！联合电子推出嵌入式SiC逆变砖
10月31日，联合电子在官微透露，为将嵌入式PCB封装技术从理论转化为可量产的核心产品，并进一步释放SiC功率半导体性能，他们推出基于嵌入式功率PCB技术的逆变砖产品，有望进一步降低寄生杂感。
联合电子表示，SiC器件已经在车用逆变器中广泛应用，但高开关速度对功率回路寄生杂感要求严苛。目前传统功率模块已触及封装瓶颈——进一步降杂感会导致结构复杂、成本激增等问题，需要创新技术，降低寄生杂感，释放宽禁带半导体性能。
针对这一难题，联合电子的嵌入式逆变砖技术实现了两大突破。首先是效率方面，由于系统寄生杂感显著降低，SiC的开关速度可以调得更加激进，有利于大幅度降低功率模块的开关损耗，将SiC的效率发挥到极致，CLTC工况效率约为99.5%。
在峰值电流工况下，嵌入式逆变砖对比未优化杂感的功率模块，开关损耗降低超过一半，对比极致优化杂感设计的功率模块，开关损耗仍降低30%，约占总损耗的13%。而由于低寄生杂感，SiC开关产生的电压尖峰小，相同耐压的功率芯片，可支持更高的母线工作电压。
其次是在功率密度方面，得益于多项新技术的应用以及超高集成度的产品解决方案，联合电子开发的嵌入式逆变砖功率覆盖100kw~350kw，峰值功率密度最高达到200kW/L，与当前市面上最高功率密度的逆变器比提升了66%。
具体来看，联合电子主要是通过四项关键技术创新，才实现更高功率及更高功率密度：
低杂感设计：联合电子在PCB内部通过多层精密叠层实现主功率回路正负极最大化重叠，功率端子则采用厚铜嵌埋并直连母线电容铜排，配合母线电容内部铜排全叠层设计，构建了最短导流路径，功率模块寄生杂感低至1nH。
散热设计：联合电子采用非对称嵌埋技术配合外绝缘连接和已量产验证的高导绝缘压接技术，实现了嵌入式PCB与水冷板高效热传导，实测热阻可追平最短散热路径的传统功率模块封装。
集成度设计：联合电子采用嵌入式功率PCB与驱动电路集成技术，在嵌入功率PCB上集成了驱动电路、保护电路、信号采集和辅助电源等，使功率模块与驱动电路的高度降低70%，实现更高功率密度。
可靠性设计：该嵌入式功率模块水道连接采用高导绝缘压接技术，该技术已经在联合电子的上一代功率模块中量产；与此同时，联合电子还与业内PCB供应商深度合作，进一步提升PCB抗温变分层能力、高电压应力的能力。
值得关注的是，今年以来众多车企、Tier1厂商都在推进嵌入式SiC功率模块的布局，其中广汽昊铂HL增程版搭载星源增程平台技术，采用碳化硅电控系统及嵌入式功率模块等技术，电控最高效率达99.9%，系统CLTC工况效率高达93%。
而据《2025年碳化硅器件与模块产业调研白皮书》调研发现，SiC芯片的PCB嵌入式技术在今年持续升温，英飞凌、芯联集成、士兰微、基本半导体、昕感科技、斯达半导体、上海诚帜、翼同半导体等近20家功率模块厂商都在加速嵌入式SiC模块的研发应用进程。
部分厂商预测，嵌入式SiC模块将从2027年开始在新能源汽车800V平台、储能、AI电源等高端市场优先突破批产应用，并逐步取代部分传统模块的市场份额。
