天科合达发布新技术，可降低SiC MOS成本

2025年，SiC器件价格下降幅度较大，以1200V 40mΩ的SiC MOSFET为例，目前的价格相较于2024年初几乎是“腰斩”。根据目前的价格推算，SiC器件厂商已经几乎没有利润。

因此，SiC器件厂商亟需新的技术来缓解竞争压力，而天科合达最新公布的SiC衬底技术创新有望帮助下游客户实现这一目标。

9月14-19日，国际碳化硅及相关材料会议（ICSCRM）在韩国釜山盛大举行，天科合达以创新产品和前沿技术成果精彩亮相国际会议现场，再次向世界展现了中国碳化硅材料领域的领先实力与创新活力。

展会上，天科合达全球首次公开发布了8英寸低电阻碳化硅衬底，成为全场瞩目的技术焦点。据介绍，天科合达的低电阻衬底可将电阻率控制在7-12mΩ·cm范围内，仅为常规N型衬底电阻率的一半。

低电阻率衬底是充分释放碳化硅功率器件性能潜力的关键技术之一。据研究人员测算，衬底电阻每降低1mΩ·cm，器件导通电阻可相应降低2–4%，从而显著减少大电流应用中的能量损耗。

据“行家说三代半”推算，当SiC衬底电阻降至7-12mΩ·cm，它在SiC MOSFET中的垂直电阻可减半。

国际PGC咨询公司2024年的研究发现，在衬底厚度为180μm时，采用5mΩ·cm的低电阻衬底，可以将750V SiC MOSFET的成本降低10.9%，可将1200V器件的成本降低8.4%。换言之，如果维持售价不变，可以很大程度上提高器件厂商的利润。

天科合达透露，层错缺陷控制是低电阻SiC衬底产品研发中的关键挑战，天科合达科研团队经过持续技术攻关，成功解决了低电阻率条件下层错缺陷密度过高的行业难题。接下来，他们将率先在全球范围内推动该低电阻衬底的送样工作，助力客户提升产品性能。

在本次会议上，天科合达不仅全球首发了8英寸低电阻导电衬底，同时还在8英寸100微米厚外延片和12英寸晶体生长技术上取得了并行突破。

天科合达董事、副总经理、首席技术官刘春俊博士在Industrial Session上介绍8英寸&12英寸产品进展

借此国际展会，天科合达郑重宣布：他们的碳化硅衬底全球累计销量已突破100万片，成为中国首家实现这一里程碑的碳化硅材料企业。这一成绩不仅体现了客户对天科合达产品的高度认可，更彰显了公司在全球碳化硅供应链中日益重要的地位。

天科合达表示，他们始终坚持以技术创新驱动发展，以客户需求为导向。未来，他们将持续加大对碳化硅材料研发的投入，不断推进8英寸及12英寸产品的量产进程，携手全球伙伴共同推动第三代半导体行业的革新与进步。

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本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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