英飞凌与罗姆达成SiC合作，什么情况？

今天，碳化硅行业发生一件大事——英飞凌和罗姆共同宣布，他们两家公司签署了备忘录，建立了SiC功率器件封装合作机制。

“行家说三代半”试着给大家分析一下：

● 英飞凌和罗姆为什么要围绕SiC器件封装建立合作关系？

● 英飞凌的顶部散热SiC器件封装技术有什么优势？

● 罗姆的半桥SiC器件封装技术有什么优势？

英飞凌 X 罗姆:

达成SiC器件封装技术合作

根据双方公告，英飞凌和罗姆的合作内容是针对应用于车载充电器、太阳能发电、储能系统及AI数据中心等领域的SiC功率器件封装展开合作。

这次合作的目的是推动彼此成为SiC功率器件特定封装的第二供应商，这样的好处是他们的客户可在英飞凌与罗姆各自的对应产品间轻松切换，从而提升设计与采购的灵活性。

英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer（左）、罗姆董事兼常务执行官伊野和英（右）

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而他们之所以达成合作的基础在于，双方都拥有非常高功率密度强的SiC器件封装技术：

● 英飞凌：SiC顶部散热平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装）。

● 罗姆：DOT-247半桥结构SiC模块。

除了这些封装形式外，英飞凌与罗姆计划未来扩大合作范围，将涵盖采用硅基及碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带功率技术的更多封装形式。此举也将进一步深化双方的合作关系，为客户提供更广泛的解决方案与采购选择。

英飞凌

底部散热封装技术亮点

根据双方公告，罗姆将采用英飞凌创新的SiC顶部散热平台（包括TOLT、D-DPAK、Q-DPAK、Q-DPAK Dual和H-DPAK封装）。

英飞凌认为， 该平台将所有封装统一为2.3mm的标准化高度，不仅简化设计流程、降低散热系统成本，更能有效利用基板空间，功率密度提升幅度最高可达两倍。

此外，顶部冷却(TSC) SMD兼具 TO-247 等通孔封装的强大散热性能优势，以及 SMD 底部冷却封装的全自动化处理潜力。另一个关键优势是，由于漏极焊盘现在位于顶部，封装底部的绝缘设计使其能够放置在包含数字 IC、栅极驱动器和其他磁性元件的标准 PCB 上。这样就无需使用标准底部冷却功率器件所需的IMS电路板，从而简化了整体设计。除了成本优势外，杂散电感的降低还可以提升系统性能。

罗姆：

DOT-247封装技术亮点

根据公告，英飞凌将采用罗姆的半桥结构SiC模块“DOT-247”，并开发兼容封装，这将使英飞凌新发布的Double TO-247 IGBT产品组合新增SiC半桥解决方案。

据了解，罗姆先进的DOT-247封装相比传统分立器件封装，可实现更高功率密度与设计自由度。其采用将两个TO-247封装连接的独特结构，较TO-247封装降低约15%的热阻和50%的电感。凭借这些特性，该封装的功率密度达到TO-247封装的2.3倍。

而罗姆的DOT-247之所以能够具备如此高的功率密度，主要是得益于三方面的优势：3D 布局使得导通电阻可低至4mΩ；更好地散热设计，热阻降低7.4℃；更低的杂散电感，约降低了48%。

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本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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