罗姆：第5代SiC MOS今年投产，将采用8吋产线

近年来，业界厂商加速向8英寸SiC技术转型。最近，“行家说三代半”注意到，行业巨头罗姆半导体也明确表示，其第五代SiC MOSFET产品将采用8英寸衬底制造，并计划在今年推进该技术实现商业化：

9月19日，据日本媒体日经Crosstech报道，罗姆半导体董事总经理兼功率器件业务负责人伊野 和英表示，他们计划在2025年内实现最新的第五代SiC MOSFET的商业化，且从第五代开始，将采用8英寸SiC衬底进行生产。

文章进一步透露，罗姆半导体前四代产品一直采用6英寸SiC衬底，从第五代开始转向8英寸，有望通过更大尺寸晶圆进一步降低成本。而与第四代产品相比，第五代产品在175℃环境下的电阻值降低了30%，可以减少相同输出功率下所需的芯片面积，并增加SiC晶圆上可获得的芯片数量。

罗姆半导体还表示，他们通过建立双团队开发体制，并行开发多代产品，将SiC功率半导体的换代周期从3～4年缩短至2年。第六代产品的量产计划于2027年开始。第七代和第八代产品的开发也将同步进行。

值得关注的是，根据罗姆半导体的产能布局来看，他们已经做好8英寸SiC的量产准备。据“行家三代半”此前报道，罗姆半导体旗下在建的8英寸SiC工厂共有两个，均计划在今年实现投产：

罗姆SiC工厂及技术布局，来源：罗姆财报文件

筑后工厂

2022年，罗姆半导体的日本筑后工厂正式投产，但采用的是6英寸SiC产线，随后罗姆半导体开始计划将其切换至8英寸SiC晶圆产线。今年年初，罗姆半导体（上海）有限公司董事长藤村雷太在接受“行家三代半”采访时表示，他们计划从2025年开始在日本福冈县筑后工厂生产8英寸产品。

宫崎第二工厂

2023年7月，罗姆透过子公司Lapis半导体与Solar Frontier达成基本协议，收购其位于宫崎县的国富工厂资产，并将该工厂改造为8英寸SiC晶圆制造工厂，总投资为2892亿日元（约合人民币143亿元），计划于2025年1月开始供应SiC晶圆，年产能为70.8万片；2026年4月项目二期开始供应SiC功率半导体，年产能为72万片。

2024年11月，宫崎第二工厂已经开始试运行。藤村雷太也在今年年初透露，2024年开始试运营的宫崎第二工厂现已做好稳定供应的准备，将于2025年开始正式运营。

另据罗姆半导体2025财年一季度财报透露，该季度311亿日元（约合人民币15.2亿）的资本支出约70%用于宫崎第二工厂碳化硅器件产线的投产准备，他们预计将在本财年结束前持续投入前期投资，以确保2026年顺利启动器件量产。

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本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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