GaN时代已然来临，英诺赛科骆薇薇：以GaN技术加速产业标准化、自动化、科学化

8月21日，由宽禁带半导体国家工程研究中心主办、多家行业权威机构联合承办的“第三届功率器件制造测试与应用大会（IPF 2025）”在无锡顺利召开。会上，英诺赛科董事长骆薇薇博士发表《走进芯时代》主题演讲，首次系统阐述了氮化镓（GaN）技术如何从根源上破解电力电子领域长期存在的“非标准化”难题，引领产业从分散式、手工化的传统模式，向高度集成、自动化的“芯”时代转型。

电力电子行业挑战重重，GaN成破局核心力量

骆薇薇博士在演讲中指出，当前我们正全面步入以AI为代表的智能化时代，算力的爆发式增长给电力系统带来了巨大挑战。

传统硅器件因开关损耗高，难以同时兼顾效率与功率密度，这迫使方案商采用硬开关、零电压开通、零电流关断等多样化的拓扑结构，无法实现统一。而氮化镓的关断损耗仅为硅的1/15，开通损耗仅为硅的1/3，仅需采用“零电压开通”这一主流标准拓扑，就能同时实现高效率和高功率密度，既简化了设计，又提升了性能一致性。

硅器件的低频特性使得电感等无源器件体积大、匝数多，难以集成到PCB中，只能依赖手工绕制，不仅成本高、差异大，还无法实现自动化生产。氮化镓的高频特性则能提升系统频率，大幅降低对电感值的需求，无源器件可直接集成于PCB板上，实现了自动化制造，进而提升了生产效率和产品可靠性。

在EMI问题上硅方案常依赖经验性试错解决，缺乏系统理论支撑。一方面氮化镓的高频特性对EMI提出了更严苛的要求，推动了行业对EMI的深入研究。另一方面拓扑的标准化和基于PCB绕组的电感和变压器的应用，使得EMI研究更有针对性。因此，EMI设计和分析从硅方案依赖经验的“艺术”转变为氮化镓方案基于理论分析和系统化设计的“科学”，促进了更严谨的EMI解决方案的发展。

作为第三代半导体材料的代表，氮化镓（GaN）凭借高开关频率、高效率、高功率密度等优势，在拓扑设计、生产制造和EMI管理领域推动电力电子行业向标准化、自动化与科学化发展，成为行业破局的关键驱动力。

GaN在多领域规模化落地，为全球产业赋能

沙利文报告显示，随着技术的成熟与生态的完善，到2028年，全球GaN功率半导体市场规模将突破500亿元，复合增长率高达98.5%，产业爆发态势明显。

目前，GaN芯片已在多个关键领域实现广泛应用：

AI与数据中心：

GaN具备高频高效、高功率密度、耐高温等优势，能精准解决数据中心在效率、空间、成本和可靠性方面的核心痛点，是支撑数据中心向高功率密度、绿色低碳方向演进的关键。目前，其已在服务器电源、DC/DC模块电源实现量产。

新能源汽车：

氮化镓的应用可覆盖电驱、OBC、DC/DC、激光雷达等核心部件。当前，英诺赛科氮化镓在车载激光雷达市场的占有率正迅速扩大，下一步将向OBC和DC/DC领域拓展。

机器人应用：

GaN技术突破了传统硅功率器件在功率密度与控制精度上的瓶颈，单机氮化镓芯片用量可达288颗，主要应用于关节电机驱动、电源管理系统，能显著提升机器人的运动性能和续航能力。

IDM实力凸显，英诺赛科呼吁共建GaN生态

英诺赛科作为全球首家实现8英寸硅基氮化镓IDM量产的企业，已构建起从设计、制造到封测的全产业链能力，为产品的持续技术迭代提供了可靠保障。

此前，英诺赛科已跻身英伟达Kyber机架系统全球核心供应商，且是唯一入选的中国芯片企业，这标志着中国GaN芯片技术已达到国际顶尖水平，具备服务全球高端市场的能力。

“氮化镓的意义远不止于替代硅，它从拓扑设计、生产制造到EMI治理，全面推动着电力电子走向标准化、自动化和科学化，赋予了‘芯时代’真正的内涵。”骆薇薇博士呼吁产业链上下游加强协作，共同构建基于GaN的能源生态体系，助力全球实现更高效、更智能的绿色电子电力未来。

END

英诺赛科 (02577.HK) 是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有1000项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。

英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！

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