5家企业发布SiC模块新技术
2025-08-21
近日,爱仕特、森国科、中恒微、SemiQ、日立能源等碳化硅模块企业先后发布新技术/新产品,涵盖顶部散热半桥模块、嵌入式功率模块等关键突破:
爱仕特:
发布顶部散热SiC半桥模块
7月,爱仕特在官网公布了多款SiC模块新产品,包括顶部散热半桥模块、1200V/1700V工业级半桥模块、1700V 三相全桥模块等。
值得注意的是,爱仕特的顶部散热SiC半桥模块内部采用DBC(陶瓷覆铜板)绝缘基板,具有175℃的峰值工作温度耐受能力,且大幅缩减的PCB面积和简化的散热设计直接降低系统体积与物料成本,适用于车载充电器、便携储能充电器等领域。
此外,爱仕特新推出的两款1700V三相全桥模块,分别具备800A/700A的出流能力,导通电阻分别为3.3mΩ、3.7mΩ,适用于新能源汽车、航空航天、工业控制等领域。
森国科:
推出SOT227封装SiC模块
8月15日,森国科在官微透露,他们基于自研SiC MOSFET 及JBS晶圆,适时推出了SOT227封装的SiC MOSFET及JBS模块产品。
文章透露,森国科的SiC器件支持超高速开关(如Turn-On Delay 19ns,Rise Time 27ns),开关损耗极低(175℃时Eon=500μJ, Eoff=250μJ),SiC MOSFET导通电阻可低至7.6mΩ,SiC肖特基二极管正向压降低至1.36V,电容电荷(Qc)仅56nC。
此外,森国科的SOT227封装碳化硅功率模块采用一体成型的端子布局与紧凑内部结构,寄生电感终端引脚尺寸更大,支持更高电流承载能力(例如1200V SiC MOSFET通流能力达121A,较TO-247提升9%),结到散热器的热阻(Rθ-jHs)比TO-247降低50%以上。
深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块,功率IC的高新科技企业,碳化硅产品采用6英寸车规级晶圆,具有高耐温,高频,高效,高压特性,已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。
中恒微:
推出Mini Z3封装SiC功率模块
8月1日,中恒微在官微透露,他们针对市场需求,推出了SiC Mini Z3封装功率模块。
该产品体积较传统Z3封装缩小20%,电压范围为750V,电阻规格为3.7mΩ,采用第二代平面栅SiC芯片、纳米银烧结、Si3N4 AMB覆铜陶瓷基板、超声波焊接、直接冷却PinFin散热基板等工艺,进一步提升功率器件的性能,适用于新能源汽车领域。
合肥中恒微半导体有限公司是一家专业从事IGBT、SiC功率半导体器件的研发、制造、销售及服务的企业,拥有3条车规级功率器件封测净化生产线,配备专业的应用试验室和器件可靠性试验室,年产能达两百万只功率模块。
SemiQ :
1200V半桥模块被赛车采用
近日,SemiQ在官网透露,Formula SAE方程式赛车在电机控制器中采用了他们的1200V半桥SiC MOSFET 模块。
据了解,该电机控制器项目旨在为车辆前轮驱动的两台 AMK DD5 电机开发一款紧凑、轻便、高效的牵引逆变器,通过采用SemiQ 半桥模块,实现了高速开关和高压工作,并具有充足的散热和电流余量。
具体来看,该电机控制器搭载了三个SiC半桥模块,压接至2oz厚度的PCB铜层,这样无需外部母线,并降低了寄生电感。陶瓷电容靠近 FET 引脚放置,以缓解高 di/dt 瞬变引起的电压过冲和振铃。每个模块支持高达 89 A 的连续电流(外壳温度为 65°C 时)和高达 250 A 的峰值电流,这超出了电机的连续和瞬态需求,并留出了足够的热裕度,确保符合 FSAE 的可靠性要求。
日立能源:
推出FlexyPak SiC模块
近日,日立能源推出了FlexyPak 1200V, 2*200A碳化硅功率模块,并计划继续推出FlexyPak 1200V 2*300A、FlexyPak 1200V 2*400A碳化硅功率模块。
据了解,该模块的耐受电压为1200V,单通道DC连续漏极电流在结温≤175°C时可达218A(VGS=15V, TH=50°C),最大脉冲漏极电流高达436A,栅极-源极操作电压范围为-4V至15V,在150°C结温下,短路安全工作区tpsc达10µs (175°C时达8µs)。
此外,单个模块集成两个独立且性能一致的200A通道,简化系统设计,提高功率密度,节省空间和成本。而SiC MOSFET导通电阻在25°C时仅6-8 mΩ,即使在高温150°C下也仅8.15 mΩ,且具备极低的开关损耗:Eon仅约2.56-2.86 mJ,Eoff仅约1.4-1.42 mJ(VDS=600V/ID=100A),适用于光伏、储能、电动汽车快充等领域。
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本文发自【行家说三代半】,专注第三代半导体(碳化硅和氮化镓)行业观察。
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