7家企业实现SiC MOS新突破：8吋、沟槽等

近日，Wolfspeed、瞻芯电子、瑶芯微、森国科、天狼芯半导体、芯合半导体、九峰山实验室等碳化硅企业/机构公布了新技术/新产品，主要涉及浅结MOS芯片、沟槽栅技术、8英寸晶圆等：

Wolfspeed：

推出第四代1200V SiC芯片

8月11日，Wolfspeed 正式推出第四代（Gen 4）1200 V 车规级碳化硅（SiC）裸芯片 MOSFET 系列。

据了解，该系列已推出3款产品，导通电阻分别为9.6 mΩ、11.6 mΩ、13 mΩ，采用无封装裸芯片设计，可灵活集成于各类定制模块中。凭借高阻断电压、低导通电阻、高速开关及低电容等特性，可在 185°C 下持续工作，助力动力总成系统实现最大性能。

瞻芯电子：

1200V SiC实现规模交付

近日，瞻芯电子在官微透露，他们开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗。

据了解，该系列产品均按汽车级可靠性标准（AEC-Q101）设计和测试认证，具有低损耗、高可靠、高频开关等特点，其驱动电压推荐18V，且兼容15V，且导通电阻（Ron）具有较低的温升系数，能在高温条件下，仍然保持较低的导通电阻，确保应用系统高效运行。

其中首批量产的2款产品分别为TO247-4插件封装和TO263-7贴片封装，已经配合多家知名光伏、充电桩客户完成了系统级测试和验证，进入批量交付阶段。

瑶芯微：

公布8英寸SiC晶圆

近日，瑶芯微对外公布8英寸1200V Gen5.0 SiC MOSFET，该产品相较于上一代产品在功率密度以及器件综合效率方面提升显著，尤其是效率要求高的车载电源OBC/DCDC应用，能有效提升轻载和重载下的效率输出 。

此外，该产品在国内率先使用8inch SiC晶圆打造，利用瑶芯微最新Gen.5技术平台，实现国内领先、国际一流的技术水平。同时通过优化Qgd电荷，平衡Qgd和Qgs电荷量比值，解决了传统平面结构器件困扰多年的栅极串扰难题，实现零压关断可行性，结合平面结构高可靠性优势，打造极具性能和品质优势的SiC 产品方案。

瑶芯微（上海）电子科技股份有限公司主要致力于功率器件、智能传感器和信号链IC的设计、研发和销售，主营产品为功率器件（中低压Trench MOS以及SGT MOS，高压SJ超结MOS，IGBT，FRD，SiC MOS和SiC 二极管）和MEMS传感器以及信号链IC。

森国科：

攻克SiC短路时间偏弱难题

8月13日，森国科透露，面对SiC MOSFET 短路时间偏弱的难题，其研发团队通过工艺创新及器件结构设计创新，推出了行业领先的4.5μs 的SiC MOSFET。

实测的短路耐受时间波形图

在这一技术攻坚背景下，森国科推出业界领先的1200V/40mΩ SiC MOSFET产品，该器件最大亮点在于实现了高达4.5µs的短路耐受时间，树立了同类产品的性能新标杆，显著提升了大功率新能源系统的安全性和可靠性裕量。

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。碳化硅产品线为650V和1200V 碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET 模块，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。

天狼芯半导体：

SiC浅结芯片流片成功

近日，天狼芯半导体在官微透露，他们在碳化硅浅结MOS芯片研发领域取得重大突破，该碳化硅浅结芯片除了晶圆和芯片之外，还可提供TO-247，TO-263等多种单管封装外形和模块的成品。

据了解，该碳化硅浅结MOS的设计方案在 JFET 与 Junction depth 处于极限距离的技术条件下，产品性能实现显著跃升，击穿电压（BVDSS）达到1670V，比导通电阻（RSP）为2.4mΩ·cm²，其技术指标已成功超越国际厂商公开的同类产品水平，目前已顺利转入量产阶段。

值得关注的是，天狼芯半导体该款浅结芯片除导通电阻较上一代产品降低40%外，更攻克了浅结技术的关键核心难题——漏电问题。经测试，天狼芯此代浅结产品的漏电流（Idss）可稳定控制在20nA以内，这意味着芯片能够以更低功耗、更高效率运行。

深圳天狼芯半导体有限公司成立于2020年1月，主要产品有车规级MOSFET、IGBT/FRD单管与模块、GaN器件、SiC器件等等，已经成为国家电网、国电南瑞、国电投、韩国现代汽车、福特汽车、华为、荣耀、星源博瑞等国际知名企业的供应商。

芯合半导体：

1200V SiC通过车规认证

8月初，芯合半导体宣布自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET顺利通过AEC-Q101车规级可靠性标准认证，并获得北京国创及SGS机构颁发的双重认证证书。

据了解，本次认证由SGS与北京国创对产品进行了高温反偏、温度循环、高温高湿、通电老化、ESD等车规全套测试项目。最终，受测产品顺利通过全部测试，全面符合AEC-Q101标准规范。

芯合半导体是一家专注于碳化硅功率芯片IDM企业，业务包括芯片设计、晶圆制造、封装测试，产品包括Wafer、SBD器件、MOSFET器件以及全碳化硅模块，通过深耕车规级SiC功率器件研发生产，已实现多款SiC MOSFET产品的国产化突破。

九峰山实验室：

推出沟槽SiC科研级样品

8月6日，九峰山实验室宣布推出新型碳化硅沟槽MOSFET科研级器件样品，均经过电性能筛选测试及第三方可靠性摸底1000Hrs测试，共分为两种IP结构：

首先是SiC胶囊沟槽MOSFET科研样品。它基于九峰山实验室完全自主IP的SiC胶囊型沟槽MOSFET结构，结合优化设计的新型终端技术，提供高可靠性SiC Trench MOSFET。

参数方面，该芯片规格为BV≥1400 V、60~80 mΩ，可提供bare die （有源区面积约3.35mm*3.35mm）或者TO-247 3 pin封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。此外，10~40 mΩ器件正在流片中，可接受定制化开发。

其次是SiC周期性两侧深掩蔽沟槽MOSFET科研样品。该样品基于九峰山实验室完全自主IP的SiC双侧深掩蔽沟槽MOSFET结构，已通过HTGB、H3TRB，HTRB可靠性检测。

参数方面，该芯片规格为BV≥1400 V、20~80 mΩ，可提供bare die（有源区面积约3.35mm*3.35mm）和TO-247 3 pin封装形式的器件，适用于特定测试及应用场景。此外，16mΩ以下芯片（有源区面积约5mm*5mm）正在流片中，可接受定制化开发。

插播：天科合达、天岳先进、同光半导体、烁科晶体、泰坦未来、浙江晶瑞、芯聚能、三安半导体、安海半导体、华卓精科、快克芯装备、合盛新材料、京航特碳、恒普技术、奥亿达新材料、创锐光谱、西湖仪器、北方华创、科友半导体、凌锐半导体、中电化合物、昕感科技、羿变电气、东尼电子、西格玛、铭扬半导体、瑞霏光电、力冠微、格力电子等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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