垂直型GaN实现1200V突破
近日，山东大学发表了题为《1200V全垂直硅基GaN功率MOSFET》论文。论文称，该团队采用氟离子注入终端（FIT）技术，采用硅衬底制备出垂直结构的氮化镓MOSFET，并且实现了1200V的击穿性能。
“行家说三代半”发现，该团队创新性地使用了FIT技术替代传统台面刻蚀终端（MET），解决了MET结构因电场在尖锐边角集中导致的提前击穿问题。
与击穿电压（BV）为567V的传统MET-MOS氮化镓器件相比，该团队的FIT-MOS器件的击穿电压达到1277V，提升了超125%（获取该文献，请加许若冰微信hangjiashuo999）。
(a) FIT-MOS结构氮化镓器件结构图；(b) 沟槽栅区的截面扫描电子显微镜图
该团队及研究人员还指出了关键两点：
采用AlGaN/AlN多层薄膜组成的导电缓冲层实现了全垂直电流路径，同时无需复杂的衬底工程工艺即可实现全垂直结构；
在低漏源电压（VDS）下，这种FIT-MOS表现出比MET-MOS更大的关态电流密度，这得益于FIT结构具有额外的垂直漏电路径。
除了击穿电压达到1277V外，该团队的FIT-MOS结构氮化镓器件具备以下指标：
比导通电阻（Ron,sp）：5.6mΩ·cm²
导通电流密度：8kA/cm²
开关电流比：10⁷
阈值电压（VTH）：3.3V（E-mode）
漂移层厚度：7μm
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采用低成本的硅衬底，基于垂直导电结构，并且采用了具有挑战性的离子注入技术，这是该论文的亮眼之处，也进一步凸显硅基氮化镓在高压领域的巨大潜力。
与此同时，最近两年，E-mode和D-mode技术路线也在同步推进高耐压氮化镓器件技术的研发和量产，特别是在蓝宝石衬底的加持下，多家GaN企业实现了1200V器件技术突破。
1200V E-mode GaN器件技术进展 来源：行家说Research
值得关注的是，英诺赛科、致能半导体、能华半导体、誉鸿锦已确认出席8月14日（即本周四）的“新型功率半导体与新能源应用高峰论坛”。
本次论坛将在深圳举行，三安半导体、京东方华灿、万年晶半导体、镓宏半导体、纳微半导体、芯干线、聚能创芯、氮矽科技、镓未来等众多GaN厂商也将出席本次活动，共同围绕数据中心、机器人等高增速市场话题，深度剖析技术瓶颈与创新路径，为行业发展提供极具价值的新思路与新方案。
除以上GaN厂商外，本次深圳大会还具备以下亮点：
● 众多C-level高层出席
8月14日，围绕“氮化镓GaN功率半导体的产业机遇与协同”，大会现场特设置“领袖对话”环节，将汇聚各GaN企业高层，包括英诺赛科副总裁陈钰林、誉鸿锦董事长闫怀宝、万年晶董事长白俊春、聚能创芯总经理袁理、氮矽科技CEO罗鹏、镓宏半导体总经理蒋胜等，他们将通过圆桌论坛形式的思想碰撞，共同剖析功率半导体产业及氮化镓产业的发展现状、产业机遇。
除“领袖对话”环节外，大会还设置了“热点对话”环节，将邀请功率半导体企业代表共话功率半导体产业的技术创新与应用进展，包括国联万众总经理助理王川宝、镓未来研发总监张大江、致能工业产品线研发总监王国慧、至信微销售大区副总经理沈斌、新微半导体氮化镓功率器件研发总监雷嘉成。
● 主题演讲+GaN白皮书成果发布
8月14日，本次大会将集结多家氮化镓企业形成超强研讨阵容，他们将通过主题分享输出前沿技术经验与市场洞察，共同探索功率半导体产业的新发展。具体包括：
三安半导体GaN PE研发总监刘成博士将带来《应用于高效能源及智能终端的GaN功率电子器件技术及挑战》；京东方华灿氮化镓研发总监马欢将带来《京东方华灿氮化镓创新与发展》；芯干线应用技术总监、合伙人刘欢将带来《第三代功率半导体的应用及案例》；英飞源产品总监邵杰将带来《SiC赋能极速未来：自研高性能模块在超充系统的革新实践》；英诺赛科产品应用高级主任工程师郑先华将带来《GaN在机器人关节驱动的实践应用》；纳微半导体现场应用高级经理况草根将带来《AI时代，高功率服务器电源面临的挑战与解决方案》。
此外，大会现场还将重磅发布《2024-2025 氮化镓（GaN）产业调研白皮书》成果，并以此解读氮化镓产业的竞争态势、市场前景，助力参会者洞察氮化镓在快充、消费电子、工业、汽车、机器人、数据中心等多个领域的发展脉络与未来走向。
距离本次深圳大会倒计时2天！目前只有少量名额，欢迎各位行家扫码参会！周四，我们深圳见！
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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