理想、东风、芯联集成公布自研SiC模块，有何特点？

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近期，“行家说三代半”发现理想汽车、东风汽车及芯联集成都发布了最新的SiC模块技术，理想汽车是无端子碳化硅模块，东风汽车和芯联集成则是用于千伏级别母线电压的碳化硅模块，三者各具亮点：

理想汽车：

发布自研高压碳化硅功率模块

6月13日，理想汽车首次公开发布了新一代电驱动核心技术——自研高压碳化硅功率模块LPM（Li Power Module)。

理想汽车动力驱动部门电力电子高级总监袁宝成透露，这款产品历时3年半完成了从设计到量产的全过程，即将在下个月搭载于理想汽车新一代纯电车型理想i8中首发上市，并且未来会陆续搭载在所有理想纯电车型上。

据了解，理想汽车这款自研SiC模块，从续航里程和车内空间入手，进一步提升了纯电车型的使用体验：

续航里程增加

袁宝成表示，理想i8采用SiC功率模块，相对IGBT模块增加6%续航，也就是约40公里。在此基础上，通过关键技术组合，理想汽车自研SiC功率模块可以把续航再提升1%，以理想i8为例，续航就又增加了大概7公里。

这得益于理想实现了电控系统的全栈自研自产，从系统的角度进行全局设计和优化。通过半桥内部的优化电气设计、无端子高压连接、高精度AMB直接激光焊，以及母排的三维空间叠层和走向设计等等一系列技术组合，显著缩小了电流回路“兜圈子”的面积，从而将整个系统的隐形摩擦力优化到约10nH，比行业典型水平降低了50%。

通过以上模块工艺优化，可以让电能更少地消耗在“内耗”上，更多地转化为驱动里程，从而提高续航里程。

模块体积缩小

据了解，理想汽车在自研SiC模块上，做了一个巨大改动：彻底抛弃了外露的传统功率端子和螺栓连接方式，转而采用了更精巧的内部开窗设计——直接在模块本体上直接开出窗口，让大电容和铜排可以直接“对号入座”。

这样一来，理想SiC模块与市场常见的半桥模块相比“占地面积”直接减半，模块Y方向尺寸减少了40mm。

保障质量一致性

袁宝成透露，为确保每一颗SiC模块的高质量交付，理想汽车在开发阶段即采用远超行业标准的测试验证体系，同时在生产过程中引入了多项先进的视觉与电气检测技术、高等级洁净度控制措施，以及从芯片到模块的不同测试和老化筛选手段。此外，他们还通过高度自动化生产，有效保障了大规模制造的质量一致性。

他进一步表示，目前理想汽车已在功率半导体领域持续投入多年，具备了从功率半导体到整车、从设计到制造的全链条能力。未来，他们也将在SiC功率模块等纯电核心技术上持续耕耘。

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东风汽车、智新半导体：

1700V SiC模块正式下线

6月18日，由东风汽车与株洲中车合作成立的智新半导体在官微宣布，他们首批1700V SiC MOSFET模块正式下线，标志着该项目取得重大阶段性成果，为后续批量装车应用奠定了坚实基础。

据了解，智新半导体的1700V电压等级SiC模块尤其契合1200V平台主驱逆变器的需求，可用于高性能高端越野车、电动卡车、电动矿车的三相逆变器、OBC模块、兆瓦级超级充电桩等场景：

采用经典HPD封装形式，耐压直接提升至1700V，且保持模块尺寸基本不变；

采用平面型封装与芯片间隔排布，降低寄生电感≤10nH；

导通损耗：3mΩ以内阻抗，相比IGBT降低50%导通损耗@1200V/400A；

电控效率：相比1700V Si IGBT效率96%，1700V SiC MOSFET效率可达99%，有3%以上的客户性能提升；

充电时间：相比1200V模块，1700V模块可再次降低充电时间20%，相比750V平台，1700V平台可降低充电时间75%。

今年3月，智新半导体有限公司制造部副部长吴应秋接受媒体采访时透露，公司两条全自动产线24小时满产运转，2024年产能达70万只，2025年订单量已经翻倍。作为东风新能源动力总成自主技术主阵地，智新科技生产的电驱动总成、IGBT模块等产品，已累计为近百万辆新能源汽车装上自主“大脑”。

值得注意的是，今年年初东风汽车也在官微透露，智新半导体的第二条生产线于2024年4月投用，兼容生产400V硅基IGBT模块和800V碳化硅模块，产线的国产化率达到70%，后续他们还将适时投建第三条产线，以满足客户持续增长的需求。

芯联集成：

推出1500V SiC MOS灌胶模组

6月16日，芯联集成在官微透露，随着电动汽车架构加速从800V向1000V演进，他们推出了1500V SiC MOS 灌胶模组系列产品，以适应对车规级功率半导体的更高要求。

据悉，该模组系列产品搭载芯联集成已成熟量产的G1.7代系 SiC MOS芯片，采用直接水冷散热的高功率灌胶的封装形式可满足客户对芯片高效率、高电压以及低成本的需求。

值得关注的是，芯联集成的SiC MOS芯片及模组在新能源汽车主驱系统上的出货量上已稳居亚洲市场前列，SiC MOS芯片及模组已全面覆盖650~3300V SiC工艺平台。

2024年，芯联集成已实现碳化硅收入超10亿元，同比增长超100%，实现中国首条、全球第二条8英寸SiC工程批通线。他们预计2025年下半年可量产8英寸SiC芯片及模组，将给客户带来更具备市场竞争力的解决方案。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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