重新定义电池管理！英诺赛科VGaN与创新方案为新型BMS赋能
2025-06-05
BMS（电池管理系统）是电池系统的核心控制单元，能够通过实施监控电池的电压、电流、温度等参数，优化充放电过程，保障电池的安全性与寿命。BMS被视为电池系统的“大脑”， 支撑着大规模电池组高效运行。根据2025年最新行业报告，储能系统的故障约43%与BMS功能不足或失效有关。而电池系统中的监测、模拟、传感及保护等多种功能的芯片则是其中的关键。
作为全球氮化镓功率芯片的领导者，英诺赛科率先切入BMS市场。2022年，其开发的40V双向VGaNTM成功导入OPPO智能手机，成为行业首款进入手机内部的氮化镓芯片！近年来，基于30V-120V新型双向氮化镓研发与制造平台，英诺赛科不断创新，相继开发出多款双向芯片（VGaNTM），并基于VGaNTM开发BMS解决方案，为更安全可靠的BMS系统提供助力。
双向 VGaNTM
1
产品特性
双向导通、双向关断能力
极低的导通电阻
更宽的SOA边界
耐短路冲击
一颗可替代两颗或多颗Si MOS
2
技术优势
超低导通电阻，降低损耗
GaN依赖材料优势，一颗VGaNTM器件替代两颗背靠背串联的MOSFET 等创新结构，可以使得BMS充放电损耗减低40%，可显著减少能量损耗和发热。
体积与重量优势
单芯片实现能量双向流动（充电/放电），一颗VGaNTM替代两颗背靠背的MOSFET，GaN方案体积比Si MOS方案减少30%以上，适合高密度电池包（如无人机、便携设备），助力BMS小型化。
高Robustness可靠性
GaN 器件的高击穿电压，可以抵抗更高的应用过充电压；GaN器件阈值电压温度稳定性和饱和区电流负温度系数等特性，使得器件的安全区更宽。抗击电路电流能力更强。
系统成本优化
低损耗减少散热需求，节省冷却系统成本；整体BMS成本可下降20%。
3
应用领域
OVP保护
BMS电池保护
智能手机USB端口过压保护
双向变换器中的高侧负载开关
多电源系统中的开关电路
VGaNTM BMS 创新方案
1
方案一：INNDBMS120LS4
应用产品：
INV100FQ030C*8
INS1011SD (VGaN Driver IC)
电流：120A
热测试：
82.9℃
100A@Ta=33℃/no airflow,no heatsink
79.9℃
120A@Ta=32.2℃/no airflow,with heatsink
2
方案二：INNDBMS120HS3
应用产品：
INV100FQ030C*8
电流：120A
热测试：
63.9℃
100A@Ta=32.1℃/no airflow,no heatsink
83.2℃
120A@Ta=36.3℃/no airflow no heatsink
3
方案三：INNDBMS180HS1
应用产品：
INV100FQ030C*16
电流：180A
热测试：
73.9℃
150A@Ta=36.8℃/no airflow,no heatsink
88.4℃
120A@Ta=36.3℃/no airflow no heatsink
BMS 是电池系统的“大脑”，直接影响电池安全、寿命和性能。英诺赛科基于8英寸硅基氮化镓的先发优势与创新技术，为客户提供了一系列高频高效、双向性能、高度集成等特性的VGaNTM芯片与参考方案，不仅解决了BMS系统的安全性与体积瓶颈，也将助力客户快速建立市场竞争力！随着汽车、储能等领域对电池BMS需求的扩增，英诺赛科将推出更多适配产品与方案，为客户提供最佳选择！
目前所有VGaNTM产品资料均可在英诺赛科官网（www.innoscience.com）获取，如需申请样品或了解更多方案信息，欢迎通过以下邮件与我们联系：jiaxinhuang@innoscience.com。
END
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！
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