12英寸SiC再添新玩家，8吋衬底已量产

插播：天科合达、天岳先进、同光股份、烁科晶体、合盛新材料、三安半导体、东尼电子、中电化合物、芯聚能、安海半导体、凌锐半导体、士兰微、泰坦未来、恒普技术、华卓精科、快克芯装备、京航特碳、奥亿达半导体及成都炭材等已确认参编《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》及《2025碳化硅器件与模块产业调研白皮》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

5月31日，合盛硅业在官微宣布，其下属单位宁波合盛新材料有限公司成功研发12英寸（300mm）导电型碳化硅（SiC）晶体，并启动切、磨、抛等加工技术的研究。

据了解，合盛新材料基于自主设计的SiC单晶生长炉以及多年的技术攻关，创新坩埚设计，使用多孔与涂层石墨技术，实现超大晶体所需的高通量生长。

此外，经过多年的潜心研究与深入钻研，合盛新材料成功攻克了从高纯石墨纯化、碳化硅多晶粉料制备到单晶碳化硅生长、衬底加工等全流程的核心技术难关，其8英寸碳化硅衬底及已实现规模化量产。

值得注意的是，2024年8月，合盛新材料宣布其8英寸导电型4H-SiC衬底项目已实现全线贯通。据了解，其8英寸导电型4H-SiC衬底在多项关键性能指标上均展现出卓越优势：衬底的微管密度显著降低至0.05/cm²以下、4H晶型面积比例达到100%、电阻率稳定在0.015-0.025Ω·cm之间、相对标准偏差小于4%，彰显了材料优异的性能。

在外延工艺验证中，采用合盛新材料8英寸衬底生产的外延片表现出色，膜厚均匀性与掺杂均匀性均高于行业平均水平，致命缺陷密度低于0.3颗/cm²，可用面积超过99%，证明了合盛新材料在半导体材料领域的强大实力与技术创新能力。

合盛新材料表示，他们此次实现12英寸导电型碳化硅晶体生长技术突破，将推动国产SiC产业链迈入新纪元，更为行业突破国际技术壁垒、实现自主可控发展提供了宝贵的经验和示范。

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值得关注的是，据“行家说三代半”不完全统计，今年以来，共有14家厂商公布12英寸SiC进展，且全部为中国厂商：

来源：行家说Research—《第三代半导体产业2025Q1季度内参》

衬底端：天岳先进、天科合达、烁科晶体、同光半导体、合盛新材料、浙江晶瑞、晶驰机电相继展示了12英寸SiC晶锭和衬底，包括导电型衬底、高纯半绝缘衬底、光学级衬底、热沉级衬底、多晶衬底。

设备端：大族半导体、西湖仪器、天成半导体、晶驰机电、天晶智能、力冠微电子相继公布了12英寸SiC工艺设备，聚焦长晶工艺、衬底加工等方面。

目前，8-12英寸的碳化硅扩径和高良率生长，需要粉料、石墨件、籽晶粘接、长晶、切磨抛等耗材和设备企业的技术支持。“行家说三代半”正在进行《2025碳化硅衬底与外延产业调研白皮书》的调研工作，将聚焦大尺寸单晶生长的工艺突破，欢迎各大企业参与白皮书的编写工作，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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