双展联动 | 英诺赛科创新氮化镓应用，驱动未来
2025-04-29
全球氮化镓工艺创新与功率器件制造的领导者——英诺赛科宣布今年慕尼黑上海电子展（Electronica China）、武汉九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会（CSE）活动圆满完成！在本月两场展会上，氮化镓和碳化硅依然是当前行业最受关注的方向。聚焦AI数据中心与机器人应用，英诺赛科高效、高功率密度、高可靠性的氮化镓产品及解决方案，吸引了无数海内外行业观众驻足交流。
Innoscience
InnoGaN
为数据中心、机器人新应用注入活力
在数据中心领域，英诺赛科早已推出全链路产品及解决方案，本次活动上，英诺赛科重点展示了两款100V GaN新品、700V 高压GaN、700V 集成GaN，以及在数据中心和人形机器人应用中的多款解决方案。
01
双面散热 En-FCLGA 封装 100V GaN
全球首款量产，先进的双面散热 En-FCLGA 封装，与传统的封装相比，导热率高出 65%。改进的热性能降低了工作温度并提高了效率，从而实现更高的功率密度，是数据中心48V电源和机器人电机驱动的理想选择。
02
全球首款100V 双向器件（VGaN）
INV100FQ030C是英诺赛科全球首款100V 双向器件（VGaN），支持双向导通和双向关断，采用FCQFN4x6封装，具备超低导通电阻和更宽的SOA边界，可在48V BMS系统、48V总线负载开关中实现电池保护。
03
大功率合封氮化镓 ISG6121TD
一款行业首发的大功率合封氮化镓产品，集成了栅极驱动和短路保护的GaN功率IC，采用TO-247-4L封装，能够帮助设计人员开发具有 Titanium Plus 效率的高频开关方案，可应用于数据中心/AI服务器PSU，车载OBC和DC-DC转换器，实现功率密度比传统方案高2~3倍。
04
2kW四相交错Buck
2025年全新发布的2kW四相交错降压电源方案亮相展会现场。该方案采用四相交错Buck拓扑，每相使用1颗INS2002FQ和4颗INN100EA035A实现功率传输，具备灵活的拓展性，效率超98%。
05
4.2kW服务器电源方案
与客户合作的4.2kW服务器电源方案也在本次活动中得到诸多关注。此前发布的长城服务器电源（点击阅读）正是采用了英诺赛科合封氮化镓，与传统电源相比，其轻中载电能损耗可减少至少30%，实现超过96%的转换效率。
此外，英诺赛科所展示的应用于机器人的300W高压电机驱动方案、500W 电机驱动方案、BMS 方案，以及汽车DCDC电源模块方案，均成为活动现场关注的热点。
英诺赛科
深入解析氮化镓市场与机器人前沿技术
英诺赛科首席执行官吴金刚博士受邀出席九峰山论坛暨化合物半导体产业博览会开幕仪式。
吴博士在报告中表明，因为性能和价格的优势，GaN FET将有望取代传统的Si MOS占有市场，预计GaN功率半导体市场将呈指数级增长，由2024年的人民币32.28亿元增长至2028年的人民币501.4亿元，复合年增长率为98.5%。面对这一战略机遇，吴博士建议国内企业需不断提升产能，打造生态体系并建立自己的行业标准。
展会同期，英诺赛科郑先华先生也在机器人技术论坛上分享了氮化镓在人形机器人中的前沿技术和应用成果。
论坛现场，郑先华先生为参展观众详细分析了氮化镓在人形机器人的各环节应用技术及优势，包含：头、肩、膝、踝等关节的电机驱动，应用于机器人内部的电池保护（BMS）系统，机器人头部的AI控制，以及机器人视觉的激光雷达、快速充电等。他表示，一个典型的人形机器人约有40个关节电机，采用氮化镓能够实现超过98%的高效率！
活动结束，热度不减！慕尼黑电子展和九峰山论坛暨化合物半导体博览会的举办，是半导体行业又一次的技术交流与思想碰撞，同时也扩大了英诺赛科氮化镓应用的新市场和新机会。作为全球氮化镓生产与制造的领导企业，英诺赛科将不止于技术研究与产品开发，还将集结上下游合作伙伴共同打造氮化镓行业生态，早日迈入绿色、低碳、节能的新世代！
END
英诺赛科是全球领先的第三代半导体高新技术企业，致力于硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 的研发与制造。公司拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆生产基地，产品设计及性能处于国际先进水平。公司氮化镓产品用于各种低中高压应用场景，产品研发范围覆盖15V至1200V，涵盖晶圆、分立器件、IC、模组，并为客户提供全氮化镓解决方案。成立至今，英诺赛科拥有近700项专利及专利申请，产品可广泛应用于消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等前沿领域。
英诺赛科，引领氮化镓革命，赋能未来！