大族半导体8/12英寸SiC衬底激光剥离实现3大新突破​

插播：英诺赛科、能华半导体、致能半导体、京东方华灿光电、镓奥科技等已确认参编《2024-2025氮化镓（GaN）产业调研白皮书》，参编咨询请联系许若冰（hangjiashuo999）。

当前，碳化硅衬底价格下降压力较大，亟需降本。传统切割工艺普遍依赖传统多线切割技术，但该工艺效率低、材料损耗，很难满足6-8英寸大尺寸碳化硅晶锭加工需求，尤其是在12英寸光波导碳化硅镜片制备的难度较大。

针对激光剥离技术量产化难题，大族半导体以三大突破性技术破局：

● 低电阻晶锭全兼容：突破低电阻率晶锭激光加工瓶颈，实现导电型衬底电阻率需求全覆盖；

● 砂轮损耗降40%+：采用LaserMesh™界面技术精准控制剥离面形貌（粗糙度≤2μm，TTV降低后续减薄成本；

● 12英寸量产突破：全球率先实现12英寸导电/半绝缘晶锭激光剥离量产，推动大尺寸衬底迈向“低成本、高良率”时代，为光电子、射频器件降本奠基。

要想详细了解更多关于大族半导体的碳化硅衬底激光剥离技术等，欢迎参加“行家说三代半”于5月15日在上海锦江汤臣洲际大酒店召开“电动交通&数字能源SiC技术应用及供应链升级大会”。届时，大族半导体产品线总经理巫礼杰将出席，带来《激光剥离技术在8/12 inch SiC衬底制备中最新技术成果分享》议题演讲。

本次大会将聚焦碳化硅（SiC）技术产业化进程中的核心挑战与创新突破，设置“数字能源SiC技术应用研讨会”与“电动交通SiC技术应用研讨会”两大会议主题，并开设碳化硅与数字能源解决方案专题展区。

目前，会议已邀请三菱电机、意法半导体、Wolfspeed、三安半导体、天科合达、元山电子、大族半导体、香港大学、长飞先进、宏微科技、利普思、国基南方、芯长征、合盛新材料、国瓷功能材料等行业领军企业&机构参与，将共论产业发展，再谱产业新章。

大会现已开放报名渠道，因会议名额有限，先到先得，欢迎各位行家扫码报名参会，期待与你在上海相会！

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。

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