清纯半导体：平面栅SiC芯片Rsp降至2.1mΩ·cm²
4月21日，清纯半导体官微宣布，他们推出了第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ。
据“行家说三代半”调研发现，清纯半导体发布的第三代技术平台及其首款芯片已达到国际先进水平，并具有以下亮点：
一是通过专利技术和工艺完善，该平台实现了领先国际同类产品的比导通电阻系数Rsp=2.1 mΩ·cm²。在此之前，清纯半导体第一代产品的比导通电阻为3.3 mΩ·cm²左右，2023年发布的第二代产品为2.8 mΩ·cm²，2024年进一步降低至2.4 mΩ·cm²。
此外，和传统芯片迭代技术方式不同，S3M008120BK在降低导通电阻的同时保持了与前两代相近的优良短路耐受特性。
图1 清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rsp变化
二是额定电压为1.2kV，额定电流超过220A，室温阈值电压典型值为2.7~2.8V。在等效的芯片面积下，与上一代技术相比导通损耗降低约20%，能够以更高的效率、更小的封装和更高的可靠性实现应用设计。
图2 S3M008120BK芯片输出特性
三是在动态性能方面，S3M008120BK在相同芯片尺寸下寄生电容进一步降低，提高了开关速度，且显著改善了MOSFET体二极管的反向恢复特性，峰值电流Irrm实现了近30%的降低，同时软度tb/ta得到了大幅优化，电压过冲Vrrm也得到了显著改善。
图3 S3M008120BK芯片与2代同类产品反向恢复波形对比
四是继承了前两代产品在可靠性方面的优势，包括通过了传统栅极可靠性试验对HTGB的考核等加严可靠性试验的测试。其结果表明：第三代产品更适合主驱等多芯片并联应用场景，以确保系统在长期使用后依然具有较优的均流特性。
综合来看，清纯半导体本次推出的第三代MOSFET技术平台核心参数及各类可靠性已经实现了与国际主流厂商最领先产品的对标。
本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。
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