又一IGBT工厂即将投产，总投资达49亿元
3 月 5 日，东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，他们的IGBT封测后道工厂正式竣工，将于今年6月全面投产，配合贺兰12英寸IGBT晶圆厂，预计将产能提升100%。
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据“行家说”了解，当天，东芝在在姬路半导体工厂（日本兵库县）举行了“全新汽车功率半导体后道封测制造大楼”的竣工仪式。新厂房的投资额达数十亿日元（10亿日元约等于4900万人民币）。
东芝执行董事栗原典安表示，该工厂正在进行设备安装和调试，计划于将于6月左右开始全面生产。新工厂将承担IGBT等功率半导体的后道封装业务，产品将供应给日本汽车相关厂商。
东芝将功率半导体业务定位为增长领域，并计划在截至2026财年的三年内共计向该业务投资约1000亿日元（约49亿人民币）。栗原典安还表示，“尽管电动汽车的需求处于半停滞状态，但电动化的趋势没有改变，未来的功率半导体需求将会大幅增加。”
除了兵库县姬路后道工厂外，2024年东芝还在石川县建成了一座用于制造12英寸IGBT晶圆的新大楼——加贺工厂。随着加贺工厂的投入运营，该工厂的汽车功率半导体产能将比2022财年增加一倍以上。
据“行家说”了解，东芝贺兰12英寸工厂已于2024年5月完工，东芝争取在2024财年下半年开始量产。
东芝半导体2022-2024年整体营收情况如下：
▲ 2022财年：3.337万亿日元（约合1621亿人民币），相比2021财年增长9.25%。
▲ 2023财年：公司因私有化重组，财报未直接披露全年数据。
▲ 2024财年上半年（截至2024年9月）：营收达1.62万亿日元（约787亿人民币），同比增长8.3%；净利润扭亏为盈，录得1163亿日元（约56亿人民币）。
据调研报告，东芝功率半导体（分立器件+模块）2022年销售额为9.96亿美元（约72.22亿人民币），同比增长13.4%，在全球市场中排名第七。
东芝IGBT的技术优势主要包括：
▲ 三栅极IGBT
东芝开发出三栅极IGBT和栅极控制技术，采用从栅极驱动电路端灵活控制IGBT内部载流电子和空穴蓄积量的方式，从而大幅降低开关损耗。与传统IGBT相比，成功实现了开通损耗和关断损耗分别降低50%和28%，整体开关损耗最多可降低40.5%。
▲ 双栅极反向传导（RC-IEGT）
东芝2022年发布的全球首款4.5kV双栅极反向传导（RC-IEGT）产品，采用双栅极，其空穴控制栅极（CG）与主栅极（MG）分立，相较于传统IGBT可降低约16%的总功耗。
▲ 封装技术
东芝的封装技术采用上下铜板将带有银色镀铝表面的硅片夹紧，无需bonding线，中间采用填充材料钼确保硅片与铜板的良好导电和导热性能。这种封装技术可以实现双面散热，降低饱和压降，减少杂散电感。
12英寸IGBT生产线是未来产业竞争的关键焦点，除了东芝外，还有众多厂商已经布局：
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