SiC产业链年会开启：400+精英、13场重磅报告

12月13日，行家说三代半年会“2023碳化硅&氮化镓产业高峰论坛暨极光奖颁奖典礼”拉开序幕。

会议第一天，汇川联合动力、英飞凌、三安半导体、烁科晶体、普兴电子、Qorvo、中国科学院物理研究所、百识电子、北方华创、智程半导体、科友半导体、大族半导体和昕感科技等企业大咖带来了干货满满的演讲！

此外，行家说还安排了1场圆桌论坛，邀请了包括Qorvo、昕感科技、纳微半导体、国扬电子等碳化硅产业大咖进行了精彩的思想碰撞。

温馨提示：明天（12月14日）还有同样精彩的“SiC & GaN应用创新峰会”，英飞凌、罗姆、意法半导体、安森美、三菱电机、基本半导体、飞锃半导体、芯联动力、京东方华灿光电、安世半导体、Power Integrations、爱发科、南方半导体将出席带来重磅演讲，了解会议详情请扫下方二维码！

直击现场

主持人

广东工业大学

集成电路学院教授 贺致远

大会第1天，由广东工业大学集成电路学院贺致远教授担任主持。

行家说

CEO 蔡建东

行家说第三代半导体年会

会议初始，行家说CEO蔡建东做了简单致辞。他对未来几年的SiC衬底需求与产能作了预测；并表示碳化硅/氮化镓替代部分硅基市场的趋势是很明确的，我们应顺势而为，把握第三代半导体SiC/GaN 产业红利。

PCIM Asia

负责人 林冬

协办方致辞

会议伊始，PCIM Asia负责人林东女士进行了大会致辞，她表示，在市场和需求的双重驱动下，如今国内第三代半导体电力电子市场呈现了良好的发展势头，表达了对第三代半导体发展的期待。

烁科晶体

总经理 李斌

2023碳化硅衬底行业分析及展望

会上，烁科晶体总经理李斌带来《2023碳化硅衬底行业分析及展望》的主题报告。他总结了3个2023碳化硅行业关键字——“严”、“卷”、“多”；并预测2023年至2025年8寸碳化硅衬底的复合年增长率为183%；另外，他还指出，未来碳化硅模块成本降低后，将为碳化硅衬底带来更大的增量市场。

百识电子

CEO 宣融

碳化硅外延的发展与挑战

百识电子CEO宣融在会上带来了《碳化硅外延的发展与挑战》的主题报告。他表示，碳化硅是国内功率器件重要的起飞赛道，主要应用于新能源汽车/光伏逆变器芯片等领域。量产制造是碳化硅芯片加速渗透应用市场的重要关键，碳化硅外延片的厚度、浓度缺陷将直接影响到芯片的良率稳定性。其演讲详细介绍了碳化硅应用前景、供应链现况、外延片量产工艺与芯片良率，旨在为碳化硅芯片国产化尽份心力。

北方华创

吕春学

坚定不移，以装备创新推动碳化硅产业高质量发展

北方华创吕春学发表《坚定不移，以装备创新推动碳化硅产业高质量发展》的演讲。他指出了SiC行业的需求和发展，并且介绍了国内SiC产业的进展及北方华创在SiC产业的布局和创新，呼吁产业链同仁进一步协同创新，深度绑定，构建化合物半导体行业发展的产业生态圈。

中国科学院物理研究所

副研究员 李辉

液相法生长碳化硅单晶研究进展

中国科学院物理研究所副研究员李辉带来演讲《液相法生长碳化硅单晶研究进展》。她表明，高温液相法有望成为继PVT法之后制备尺寸更大、结晶质量更高且成本更低的SiC 单晶的方法，该报告详细介绍了高温溶液法对生长碳化硅的优势，并对中国科学院物理研究所最近在液相法生长SiC单晶的研究进展进行了介绍。

大族半导体

技术总监 巫礼杰

激光技术在碳化硅/氮化镓材料加工中的应用

会上，大族半导体技术总监巫礼杰带来有关激光切割的主题报告。他指出，碳化硅/氮化镓材料极硬，在衬底加工芯片制造环节，面临切割损耗大、加工时间长、出片率低等痛点；大族介绍了在不同材料体系中的激光技术应用，特别指出了其在碳化硅/氮化镓材料加工中的应用可带来耗损小、出片率高、效率高等优势。大族半导体在2022年就推出了SiC激光改质切割设备，致力于帮助客户有效降低衬底晶圆制程成本。

科友半导体

研发技术总监 张胜涛

大尺寸低成本碳化硅产业化技术研发进展

科友半导体研发技术总监张胜涛出席了本次会议，并带来演讲《大尺寸低成本碳化硅产业化技术研发进展》。他表示，科友已掌握8英寸感应长晶炉、电阻长晶炉、碳化钽涂层及原料等关键技术，并已成功制备出8英寸碳化硅衬底，科技成果达到“国内领先，国际先进”水平。其演讲就科友设备及关键耗材国产化情况、低成本产业化制备关键技术以及8英寸衬底产业化最新进展等方面做分享介绍。

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会上，行家说三代半重磅发布了《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，欢迎大家订阅：

参编单位授权仪式

值得一提的是，《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》正式发布后，还进行了参编单位授证仪式，在此特别感谢36家参编企业对本年度白皮书编写的支持：

A级参编单位

三安半导体、烁科晶体、科友半导体、普兴电子、安海半导体、国星光电、北方华创、恒普技术、中国电科48所、北京中电科、中电科风华、华卓精科、快克芯、凯威、泰坦未来

B级参编单位

合盛新材料、天成半导体、集芯先进、国碳半导体、基本半导体、中科汉韵、蓉矽半导体、南方半导体、山西中电科、唐古科技、凌云光

三安半导体

技术总监 叶念慈

SiC产业链垂直整合助力加速新能源行业发展

三安半导体技术总监叶念慈带来了《SiC产业链垂直整合助力加速新能源行业发展》的主题报告。他总结了功率半导体技术发展前景及SiC行业现状、挑战与机遇；并在现场分析了如何利用WBG器件提高能效，通过SiC产业链垂直整合模式，助力加速新能源行业发展。

普兴电子

产品总监 张永强

8英寸碳化硅同质外延片典型缺陷研究

会上，普兴电子产品总监张永强作了《8英寸碳化硅同质外延片典型缺陷研究》的主题演讲。张永强介绍了碳化硅的应用领域与外延环节的技术进展。目前，普兴电子已成功在8英寸碳化硅衬底上实现了同质外延生长，通过工艺优化，8寸碳化硅外延片的表面缺陷密度可以降低到0.4cm-2，晶体缺陷密度降低到0.7cm-2以下。他们的工作为降低8英寸碳化硅外延片缺陷，推进8英寸碳化硅外延片产业化提供了强有力的支撑。

Qorvo

高级应用工程师 周虎

Qorvo与众不同的SiC产品在高压场合发挥独特优势

Qorvo高级应用工程师周虎带来了《Qorvo与众不同的SiC产品在高压场合发挥独特优势》的主题报告。周虎指出，SiC一直被业界视为功率器件的 “理想材料” 而备受期待，特别是在高压场合，例如工业，汽车和能源储能等行业， SiC 具有无可比拟的优势；他在现场与各位行家讨论了Qorvo 的SiC FET产品如何最大化这一高效功能。

智程半导体

副总经理 华斌

国产清洗设备在碳化硅制造领域的应用方案

智程半导体副总经理华斌博士在现场分享了《国产清洗设备在碳化硅制造领域的应用方案》的主题报告。智程推出了针对碳化硅薄片晶圆背面腐蚀清洗工艺的专用设备，基于无接触晶圆清洗技术、INDUCO3技术、Rota-goni技术及超薄清洗技术等，提供碳化硅正面无损伤、背面清洗高洁净的国产解决方案。而面向碳化硅8英寸槽式清洗，智程还推出了碳化硅cassetteless槽式清洗方案。

英飞凌

Senior Marketing Consultant

陈子颖

零碳时代，碳化硅器件的机遇与挑战

英飞凌Senior Marketing Consultant陈子颖带来了《零碳时代，碳化硅器件的机遇与挑战》的主题报告。他分析了SiC应用市场的发展趋势，结合英飞凌在SiC领域的丰富经验帮助SiC器件更好地设计优化以适应发展，希望让产品/方案和可再生能源链条环环相扣，满足快速增长的市场需求。

昕感科技

销售总监 吴悠

国产碳化硅如何在市场突围

昕感科技销售总监吴悠带来了《国产碳化硅如何在市场突围》的报告分享。昕感科技分析了国产碳化硅器件面临的困境，并给予了相应的解决方案；昕感科技从碳化硅器件出厂，一直到客户端，都有严格的把控，并不断创新，提供专业的SiC器件快速筛选技术；他们自主研发的7mΩ 1200V碳化硅MOS产品以及车规器件在国内已达到领先水平。

汇川联合动力

采购部总工 方海

第三代半导体在OBC的应用

汇川联合动力采购策略工程师方海带来了《第三代半导体在OBC的应用》的主题报告。方海介绍了电动汽车及车载电源的发展趋势，并分析了第三代半导体在上述领域的应用情况。

圆桌论坛：

SiC市场机遇与产业链协同

本场圆桌论坛的研讨嘉宾为Qorvo高级应用工程师周虎、昕感科技销售总监吴悠、纳微半导体销售营运及代理商管理总监李铭钊、国扬电子总经理助理竹卫峥。由行家说三代半研究总监张文灵担任主持。

会上，他们围绕“SiC市场机遇与产业链协同”的主题，对SiC市场现状、规模、未来机遇等要点展开了一场深度交流探讨。

直击现场更多精彩：

此外，在“新技术、新产品”专场展览上，智程半导体、意法半导体、Qorvo、烁科晶体、百识电子、快克芯装备、飞锃半导体、科友半导体、天成半导体、科百特、润新微电子、希盟科技、岱美仪器、千叶净化、惠特科技、国顺硅源、惠丰钻石、瑞福芯、厚德钻石、诚联恺达、合盛新材、长联半导体、创锐光谱、才道精密、北方华创、集芯先进、致领半导体及高泰新材料等28家企业展示最新技术和产品方案。

明天精彩继续，欢迎大家继续参会！

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