2家SiC工厂落成，40万片；100亿颗
昨天，国外2家SiC新工厂宣布落成，正式开始运营：
法国Soitec: SiC工厂落成，投资30亿，总产能40万片，2024年生产8寸片。
印度CDIL：投资2.6亿，SiC器件封装产能达100亿颗。
Soitec：
SiC工厂落成，总产能40万片
法国时间9月28日，Soitec举行了SiC新工厂落成仪式，欧盟内部市场专员蒂埃里·布雷顿 (Thierry Breton) 和法国工业部长代表罗兰·莱斯库尔 (Roland Lescure) ，以及大客户意法半导体CEO Jean-Marc Chéry出席了仪式。
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据“三代半风向”此前报道，2022年3月，Soitec宣布在法国伯宁总部建设Bernin 4新工厂，致力于制造6英寸和8英寸的 SmartSiC晶圆。同年3月该工厂举行了奠基仪式。
根据法国媒体的报道，该工厂投资额为3.8亿欧元（约30亿RMB），其中30%由法国和欧洲援助承担。
Soitec副总经理Cyril Menon透漏，该工厂于2023年4月竣工，60台设备仅用了一个季度就安装完毕。历时一年半多，Soitec新工厂开始宣布开始运营。
根据公告，该工厂占地面积2500平方米，将创造400个就业岗位，2028年全部达成后可年产50万片，其中80%专用于SmartSiC 晶圆，20%生产300mm SOI 晶圆。
该公司表示，新工厂将专门生产电动汽车所需要的SmartSiC衬底，Soitec 的 SmartCut技术可使SiC器件电气性能提高了15%-20%，衬底的消耗量减少了十分之一。
现阶段，Bernin 4新工厂主要生产6英寸SiC晶圆，计划从2024年开始迁移到8英寸晶圆。新工厂的第一个测试样品和资格认证将在2个月内开始发货，计划于2024年春末开始大批量交付。
Soitec 首席执行官Pierre Barnabé 表示：“我们比以往任何时候都更愿意将 SmartSiC技术建立为下一代电动汽车半导体材料的新标准。该工厂将使我们能够满足对碳化硅不断增长的需求，并到 2030 年实现 30% 的市场份额，同时帮助提高电动汽车的效率和降低价格。”
印度CDIL：
SiC器件封装厂揭幕，年产100亿颗
9月28日，印度大陆器件公司（CDIL）位于Mohali的SiC器件封装厂举行了揭幕仪式，印度联邦电子和信息技术国务部长Rajeev Chandrasekhar出席了仪式。CDIL将成为印度第一家生产碳化硅器件的公司。
CDIL是印度历史最悠久的半导体封装公司，新工厂将生成表面贴装SiC器件，将供应给电动汽车、电源管理设备和太阳能制造商。CDIL于1964年开始与加利福尼亚州霍桑的大陆器件公司合作生产硅芯片和器件，该公司后来被称为Teledyne Semiconductor。
CDIL管理层表示，新工厂每年将生产100亿颗器件，投资30亿卢比（约2.6亿RMB）。
CDIL总经理Prithvideep Singh表示，CDIL花费很大精力去研发碳化硅，因为它是一项新兴技术。CDIL已经创建了该国唯一一家对半导体晶圆进行切割或超高精度切割的工厂，并且仅满足来自美国，欧洲和中国的合作。
CDIL还与印度半导体实验室（SCL）签署了谅解备忘录，该实验室是MeitY下属的Mohali研究机构，从事半导体技术领域的研究和开发。双方将采用专有制造工艺，生产分立半导体器件的本土化晶圆。
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