合计近11亿元！又增2个SiC项目
近日，国内2个SiC器件、模组项目传来了新进展：
● 摩派半导体：第三代半导体器件项目一期1号厂房已经装修完成，正在进行设备定位布设以及安装调试。
● 北一半导体：新一代碳化硅功率半导体模块正在进行调试，已获得4亿元订单。
摩派半导体：
6.6亿元、20条产线
6月8日，据“睢宁县融媒体中心”官微消息，江苏摩派半导体旗下第三代半导体器件项目一期1号厂房已经装修完成，目前正在进行设备定位布设以及安装调试。
据悉，该项目总投资6.6亿元，其中一期投资2.6亿元，新上第三代半导体封装测试生产线20条，已购进全自动粘片机、全自动测试分选机、全自动转塔式测试一体机共计150台，后续设备陆续订购。
摩派半导体总经理周悦贤表示，该项目总共有6栋厂房，共计5万多平方米，一期2.8万多平方米的3栋厂房全部进行无尘精装修，二期项目计划在2023年年底启动。
本月将完成3栋厂房装修并投入使用，预计可年产IGBT芯片20亿颗，年实现产值7.2亿元，工厂正式投产后还将生产大功率MOS 、氮化镓、碳化硅模块等。
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摩派半导体成立于2022年6月，主要从事第三代功率半导体（SiC、IGBT等）器件及模块研发、设计、制造与系统应用。
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北一半导体：
SiC功率模块进行调试
6月16日，据“黑龙江日报”消息，北一半导体目前正加紧对自主研发的新一代碳化硅功率半导体模块进行最后的调试；此外，他们二期项目已投产，今年产能将进一步扩大，目前已签订国内外订单4亿元。
据悉，该项目总投资4.3亿元，分二期建设。其中二期作为省级重点项目于今年1月开始投入运营，总投资3.5亿元，厂房占地面积超过12500平方米，新上5条现代化生产线，可年产IPM、IGBT、碳化硅模块950万只、8英寸晶圆10万片，主要应用于白色家电、工业制造及新能源汽车等领域。
北一半导体生产车间
北一半导体采购部负责人金星表示，“我们的工程师们正加紧对自主研发的新一代碳化硅功率半导体模块进行最后的调试。这项技术打破了国外的技术垄断，对国家发展5G电源、电力、轨道交通、航空等工业领域都能起到重要作用。”
北一半导体成立于2017年10月，总部坐落于深圳市坪山区，是一家集功率半导体器件研发、生产、封装、测试、营销和服务为一体的国家高新技术企业。
今年5月，北一半导体完成了超1.5亿元的B轮融资，本轮融资由基石资本领投，同时参与资本方包括联通中金、青岛玉颉。融资资金将用于以SiC、IGBT等为代表的高端功率半导体芯片和模块产品的研发与推广。
注：本文来源地方政府及企业官网，仅供信息参考，不代表“行家说三代半”观点。
白皮书参编申请
行家说2023版碳化硅白皮书和氮化镓白皮书已正式启动调研，将于今年12月正式发布。
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陈女士 Tristar
微信号：13570314186
《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 SiC产业关键技术进展
2.1 SiC特性及技术优势
2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 SiC外延技术分析
2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析
2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析
2.6 SiC模块技术进展及趋势分析
2.7 SiC关键设备和材料技术分析
2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析
第三章 全球SiC半导体产业竞争格局
3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段
3.2 各国/区域SiC代表厂商
3.3 SiC衬底竞争格局
3.4 SiC外延竞争格局
3.5 SiC器件/模块竞争格局
3.6 SiC关键设备/材料竞争格局
《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 GaN产业关键技术进展
2.1 GaN特性及技术优势
2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 GaN外延技术分析
2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析
2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析
2.6 GaN关键设备和材料技术分析
第四章 全球GaN半导体产业竞争格局
4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段
4.2 各国/区域GaN代表厂商
4.3 GaN衬底竞争格局
4.4 GaN外延竞争格局
4.5 GaN器件/模块竞争格局
4.6 GaN关键设备/材料竞争格局
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