这2家SiC企业扩产，或达120万片/年
近日，SiC领域新增了2个新项目，坐标山东济南、韩国：
● 南砂晶圆：SiC扩产基地项目计划落地济南，年产能或达100万片；
● 东部高科：将在7月开始研发8英寸SiC工艺，产能预计为2万片/月。
南砂晶圆SiC产线落户济南
年产能或达100万片
6月12日，据山东卫视报道，南砂晶圆SiC扩产基地项目计划落地济南。
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据山东大学新一代半导体材料研究院官网消息，南砂晶圆的全资子公司山东中晶芯源已于近日完成注册，该公司将为济南扩产基地项目的主建方。
南砂晶圆济南扩产基地负责人李树强表示：“该项目计划在2025年满产达产，届时预计产值达到50亿元以上。”若单片衬底价格为5000元/片（折合6英寸），那么该项目年产能或达100万片。
南砂晶圆成立于2018年9月，目前在广州南沙区布局了碳化硅项目，总投资9亿元，达产后年产各类衬底片和外延片共20万片。2020年7月，项目正式开工；2021年9月，项目1#、2#、3#、4#厂房主体结构全面封顶。据广州日报4月报道，该项目已经试投产。
南砂晶圆于2022年实现了8英寸碳化硅衬底的突破——采用物理气相传输法扩径获得了 8 英寸 4H-SiC 籽晶，用于 8 英寸导电型 4H-SiC 晶体生长，并加工出厚度 520 μm 的 8 英寸 4H-SiC 衬底。
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东部高科进军8寸SiC
预计年产能24万片
6月14日，据韩媒报道，韩国东部高科（DB HiTek）将在7月开始研发8英寸SiC工艺，相关工艺开发设备也有望在今年内投入运作。
DB HiTek是一家专门从事8英寸代工的公司，此前他们一直致力于开发6英寸SiC工艺，而未来他们将在6英寸工艺基础上开发量产8英寸SiC工艺。据悉，他们目标量产时间为2028年，产能预计为2万片/月。
他们将在今年内对8英寸SiC工艺设施进行投资，该设施位于DB公司Sangwoo园区的一个闲置空间内，考虑到该设施的准备时间（从订单到交货的时间），DB HiTek预计将在2024年底前利用该设施开始全面开发8英寸SiC工艺。
白皮书参编申请
行家说2023版碳化硅白皮书和氮化镓白皮书已正式启动调研，将于今年12月正式发布。
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陈女士 Tristar
微信号：13570314186
《2023碳化硅（SiC）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 SiC产业关键技术进展
2.1 SiC特性及技术优势
2.2 SiC单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 SiC外延技术分析
2.4 SiC功率器件技术进展及趋势分析
2.5 SiC分立器件封装技术进展及趋势分析
2.6 SiC模块技术进展及趋势分析
2.7 SiC关键设备和材料技术分析
2.8 核心SiC技术在中国国产化的挑战分析
第三章 全球SiC半导体产业竞争格局
3.1 全球与中国SiC产业发展历程与所处阶段
3.2 各国/区域SiC代表厂商
3.3 SiC衬底竞争格局
3.4 SiC外延竞争格局
3.5 SiC器件/模块竞争格局
3.6 SiC关键设备/材料竞争格局
《2023氮化镓（GaN）产业调研白皮书》部分目录：
第二章 GaN产业关键技术进展
2.1 GaN特性及技术优势
2.2 GaN单晶生长及衬底加工工艺分析
2.3 GaN外延技术分析
2.4 GaN功率器件技术进展及趋势分析
2.5 GaN器件/模块封装技术进展及趋势分析
2.6 GaN关键设备和材料技术分析
第四章 全球GaN半导体产业竞争格局
4.1 全球与中国GaN产业发展历程与所处阶段
4.2 各国/区域GaN代表厂商
4.3 GaN衬底竞争格局
4.4 GaN外延竞争格局
4.5 GaN器件/模块竞争格局
4.6 GaN关键设备/材料竞争格局
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