SiC MOS驱动挑战如何破？英飞凌为你支招
由于SiC MOSFET驱动电路直接控制SiC功率器件的开关，其性能将直接影响器件的工作性能和效率。然而在实际应用中，SiC MOSFET高速驱动还存在许多问题，尤其是开关速度与EMI是相互制约的。另外，SiC MOSFET高速并联应用中，SiC功率器件的可靠性也是一场大挑战。
6月20日，英飞凌将启动碳化硅直播季第2期，直播话题为《好马要有好鞍配——详解SiC驱动和并联的关键技术》，针对SiC MOSFET的驱动难题，他们提出创新的解决方案。
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第2期直播亮点
1、如何更好地设计SiC MOSFET驱动及保护电路？
2、如何在高性能功率转换应用场合实现效率、功率密度和稳健性的最佳组合？
嘉宾1：郑姿清
郑姿清，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部，专注于IGBT器件开关性能的研究和测试超过十年，熟悉IGBT，SiC特点，擅长功率开关器件的驱动设计。
嘉宾2：赵佳
赵佳，英飞凌科技大中华区零碳工业功率事业部，负责工业传动、充电桩及电源等领域的应用支持，对IGBT及SiC等功率器件的器件结构、性能特点、驱动设计等都有深刻的理解与丰富的经验。
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第1期回顾：
聚焦沟槽栅、冷切割、互联封装
5月23日，英飞凌启动了“2023碳化硅直播季”，第一期话题是《深析一款高质可靠SiC的器件结构和封装创新》。
第1期直播，英飞凌为广大工程师分析了非对称沟槽栅SiC MOSFET“强”在哪里，英飞凌的碳化硅冷切割技术如何提升SiC生产效率、降低成本，以及英飞凌的.XT互联封装技术对散热、功率密度和可靠性带来何种优化。
此外，英飞凌还重点为广大工程师朋友解答了许多关键的实战问题，例如：碳化硅阈值电压漂移的问题怎么解决的？1700V SiC 管子驱动电压做到12V，如何保证阈值电压？英飞凌的SiC MOS需不需要负压？动态HTGB和稳态HTGB对比，哪一个更严格？
了解更多第1期直播内容和实战问题的解答，请关注英飞凌的官方微信号和视频号。
第3期预告：
碳化硅选型要点
8月9日，英飞凌将启动碳化硅直播季第3期，直播话题为《好钢用在刀刃上——探讨SiC热门应用和器件选型要点》，帮助工程师解决器件选项难题。
第3期直播亮点：
1、如何为不同电源应用选择最佳的SiC器件？
2、未来SiC器件还会在哪些领域大有可为？
获取更多碳化硅干货，请锁定英飞凌的碳化硅直播季，参加直播活动还有精彩的抽奖环节等着你，快来扫描下方二维码报名吧！
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