12万片，30万片，480万只！这3个IGBT项目落地在即

近日，两家上市企业透露新增IGBT项目信息，合计投资超42亿项目即将落地。

中芯集成：斥资42亿建IGBT产线

5月31日，中芯集成发布晚间公告称，中芯集成及子公司中芯先锋与绍兴滨海新区芯瑞创业投资基金签订投资协议，拟在绍兴滨海新区投资建设中芯绍兴三期12英寸特色工艺晶圆制造中试线项目，主要生产IGBT、SJ等功率芯片，HVIC（BCD）等功率驱动芯片。

公告显示，该项目总投资42亿元，用于建设一条集研发和月产1万片12寸集成电路特色工艺晶圆小规模工程化、国产验证及生产验证的中试实验线。中芯集成表示，项目计划于2023年完成中试线建设。

同日，中芯集成还发布公告称，子公司中芯先锋与绍兴滨海新区管理委员会签订《落户协议》，计划在本次项目基础上，实施量产项目，预计在未来两到三年内合计形成投资222亿元人民币、10万片/月产能规模的中芯绍兴三期12英寸数模混合集成电路芯片制造项目。

据透露，2023年中芯集成已具备年产出250万片8英寸晶圆（6寸、8寸、12寸等效产能），及年600万只大功率模组的供应能力。受益于新能源汽车及光伏市场的拉动，中芯集成2023年第一季度主营业务大幅增长65.79%。

士兰微：年产30万IGBT项目通过

5月30日，厦门工信局公布《关于厦门士兰集科微电子有限公司新增年产30万片IGBT功率器件芯片扩产项目节能报告的审查意见》。

据公告显示，该项目建成后可年产30万片12英寸IGBT功率器件芯片，拟于2024年12月投入使用，建设主体为士兰集科。

具体来看，本次建设利用现有12英寸厂房FAB1，在厂房二层和三层预留区域新增生产设备。其中，二层为工艺技术下夹层，三层预留区域主要布置光刻（LITHO）、刻蚀（ETCH）、湿法刻蚀（WET）、扩散（DIFF）、薄膜（TFD/TFM）、离子注入（IMP）等。共计使用建筑面积17748.48平方米，工艺面积计4000平方米。

今年3月，据士兰微披露调研纪要显示，到2022年底，12英寸线的IGBT月产能已经到1.5万片，由于设备交期延长，预计到今年第二季度可以到2万片。

芯能半导体：年产480万只IGBT项目签约

5月29日，据“安巢发布”官方报道，深圳芯能半导体技术有限公司与安巢经开区在合肥市政府签署项目合作协议。

据悉，此次签约项目专注于大功率模块封测，主要建设10条IGBT、5条SIC MOS自动化生产线，产品应用于新能源汽车、太阳能和家电等行业，项目整体建成达产后，预计可实现年产480万只IGBT模块和60万只SIC MOS模块，年营收约15亿元。

公开信息显示，芯能半导体是一家聚焦IGBT芯片、高压栅极驱动芯片以及智能功率模块的研发、生产、应用和销售的企业。产品主要应用于工业伺服电机驱动、变频家电、逆变器、电力系统、新能源汽车等。

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