破除8英寸SiC量产焦虑，这家企业再放大招
会议预告
汽车与光储充SiC应用及供应链升级大会
2023年5月25日 上海世博洲际酒店
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尽管全球已有17家SiC领跑者成功研发出8英寸单晶衬底，但实现规模化量产的寥寥无几。为此，亟需借助创新的长晶装备和工艺技术，加速8英寸SiC的量产节奏。
作为电阻法长晶设备领域的领先企业，优晶光电快速崛起，实现了众多的技术创新。最近，优晶光电又成功推出了8英寸电阻法SiC长晶设备，对于推动国产SiC衬底追赶8英寸潮流具有独特意义。
优晶光电8英寸SiC晶体正面（左）和背面（右）
优晶光电全新的8英寸设备和工艺大幅提升晶体生长良率和生长效率，实现了8英寸SiC晶体的稳定生长，从而成功降低了生产成本。
优晶光电的新设备工艺还有哪些优势？接下来他们有哪些扩产计划？本文将进行详细解读。
电阻法8英寸SiC生长设备率先推出
助力国产SiC追赶国际潮流
8英寸衬底是SiC产业非常重要的技术发展方向，在降低器件单位成本、增加产能供应方面拥有巨大的潜力。去年以来，8英寸SiC单晶衬底虽然已进入快速发展期，但目前根据披露消息显示，能达到量产级别的企业还是凤毛麟角。最近，某碳化硅公司甚至表示， 受制于8英寸SiC衬底产能限制，其2024财政年收入将比预期减少30%以上。
限制8英寸SiC衬底规模化量产的主要原因如下：
● 8英寸籽晶粘接或固定工艺存在难点
● 温场不均匀，径向温度梯度太大
● 气相原料分布和输运效率
● 高温生长，晶体内部应力加大导致开裂
技术革新，设备先行！8英寸SiC衬底要跨越研发至量产“鸿沟”，亟需创新的长晶设备。
最近，“行家说三代半”了解到，优晶光电已经正式推出了8英寸电阻法SiC单晶生长装备，技术达到了国际先进水平，产出SiC晶体的良品率和质量大幅提高。
据优晶光电客户反馈，“优晶光电8英寸SiC长晶设备生长的晶体很漂亮，没有肉眼可见的缺陷，整体晶体非常圆润，而且晶体表面较平整。”
据优晶光电介绍，其自主研发的8英寸SiC长晶设备深度融合了电阻式加热、特殊的籽晶处理工艺、高质量长晶工艺及智能化控制等关键技术。该技术突破解决了传统SiC晶体扩径技术多个难题，以解决8英寸SiC晶体的生产难题。更为重要的是优晶光电通过技术创新，能够快速实现8英寸的量产，同时在晶体生长效率和粉料利用率等方面都有一定的提升，真正做到了以‘质’促‘效’。
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十年潜心研发，铸就电阻法先发优势
短期快速突破，8英寸设备性能全球领先
作为SiC产业中的黑马，2014年优晶光电就开始专注于电阻法SiC单晶生长设备、提升工艺和技术研发。2019年3月，优晶光电国内首次发布了大尺寸电阻法SiC单晶生长设备及工艺，填补了国内电阻法设备的空白。优晶光电告诉“行家说三代半”，电阻法SiC长晶设备在SiC单晶扩径方面更具优势，他们的设备已经平稳地实现从6英寸到8英寸的迭代。
基于近10年的研发积累，优晶光电在电阻法SiC长晶领域实现了先发优势，电阻法设备能够很好地解决SiC晶体生长良率低、重复性差、规模化量产困难等诸多问题，为此其装备迅速得到了下游用户的认可，2022年更是实现了靓丽的成绩——确定意向订单金额超过20亿元。
优晶光电潜心自主研发并持续深耕电阻法长晶领域，成功开发高品质的8英寸SiC长晶设备和工艺，设备性能参数达到了全球领先或业内一流水平，其技术创新主要体现在以下方面：
首先，采用UKING电阻法热场，实现轴向温梯可控、径向温梯可调、温线平缓，晶体生长界面近似平面，这能有效降低SiC单晶内部应力，增加晶体有效利用厚度。
其次，设备智能化程度高、一键式按键操作，生长参数实时监测和存储，优晶光电实现了长晶过程的高度自动化，保证工艺的重现性，减少对操作人员的依赖，解决工艺控制难的瓶颈。
第三，炉内最高温度可达2250℃，超过碳化硅晶体正常生长所需的温度。电源精度，温度精度，压力精度，气体流量精度等都经过严格要求控制。
第四，内部热场温度梯度分布均匀，使得晶体生长空间内部气流稳定，大幅度提升晶体质量。
产业资本助力扩产稳交付
持续提升国产SiC竞争力
2020年12月，优晶光电位于昆山的6英寸碳化硅生产基地正式建设落成，随着订单暴增，2021年优晶光电进行了设备产能扩充，以满足市场迫切的需求。最近，他们又在布局新一轮的产能建设。
2023年4月22日，优晶光电宣布，与一家专注于高科技领域的风险投资机构在苏州举行了正式的投融资签约仪式，双方将共同推动第三代半导体产业的发展，实现互利共赢的长期合作。
据“行家说三代半”了解，在正式接触优晶光电之前，该投资机构对其展开了设备应用端客户等全方位的尽调，基于设备市占率、技术先进性等全方位的评估后，双方在签约仪式上正式达成合作。
对于本次合作，优晶光电表示“优晶光电在电阻法SiC长晶装备和工艺拥有领先优势，此次合作将有效整合双方的优势资源，有助于加快扩张设备产能建设，快速响应客户需求，我们尽快将8英寸SiC新技术带来的生产力作用落实到实际生产中；同时，此次合作也有助于先进工艺的研发储备和迭代，为SiC产业提供更多高性能、高品质的装备和工艺服务，进一步提升整体行业的技术水平。”
据悉，此次合作为优晶光电带来了3亿元的融资，该笔资金将用于扩大产能和工艺研发等方面，进一步加强其技术实力和市场竞争力。
优晶光电客户现场车间（左）优晶光电装配车间（右）
“我们认为底层技术的创新是推动企业和行业发展的基石，目前SiC单晶生长环节遇到的困难以及行业未来的发展要通过技术创新来解决，SiC长晶设备和工艺技术的每一次突破，都会为整个产业带来新的市场机遇和更广大的用户群体。因此，优晶光电一直都坚守在电阻法底层技术研发的第一线，在研发中投入许多的成本，”优晶光电表示，“我们希望通过技术创新来降低整个行业的生产制造成本和门槛。”
立足于电阻法生长工艺技术的研发，优晶光电为SiC衬底企业提供了高性能的设备和工艺，逐渐扩大了自己的“朋友圈”，未来他们还将会持续加大投入，立足自主产品研发，进一步降低设备成本，并着手实现进口部件的国产替代，助力SiC设备实现真正意义上的国产化。
接下来，优晶光电将会大力推广6-8英寸电阻法SiC长晶装备和工艺技术，想了解更多他们的设备和技术信息，可以现场与他们深入交流和沟通：
5月25日，优晶光电将出席在上海举办的“汽车与光储充SiC应用与产业链升级大会”，作为SiC长晶设备的代表，他们将在本届大会上，通过演讲和展台展示的方式，向观众展示他们的6-8英寸SiC长晶技术合作装备，以及相关的落地案例。
5月15日—5月18日，深圳国际半导体展会（SEMI-e），优晶光电展位号：14B310。
7月11日—7月13日，上海慕尼黑电子展，优晶光电展位号：F602。
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