行家说消息 2023年3月6日，台湾省国立中山大学晶体研究中心宣布成功生长六吋导电型（n-type）4H碳化矽单晶，在长晶炉设备、坩埚（存放材料容器）、热场设计、长晶技术、品质检验等环节100%MIT，奠定晶体生长速度快、稳定性高、成本低等优势，将透过技转助攻台湾产业升级，强化全球市场竞争力。

碳化矽在高电压和高功率的表现优异，且散热性佳，但制作困难，晶体生长的技术门槛高，需大量时间及经验，台湾目前投入生产的企业发表的生长速度约在150-200um／hr之间，晶体稳定性与良率仍有待提升；中山大学材料与光电科学学系教授兼国际长周明奇指出，晶体研究中心已成功长出六吋导电型N-type 4H碳化矽SiC单晶，中心厚度为十九mm，边缘约为十四mm，生长速度达到370um／hr，「晶体生长速度更快且具重复性」，台湾尚无其他研究单位或大学能做得到，标示着第三类半导体碳化矽向前推进的进程。

去年研究团队导入六吋导电型（n-type）4H碳化矽长晶炉，已成功生长出六吋单晶；周明奇强调，为了从实验室迈向工业化，团队不断调整生长参数、检验晶体品质，今年二月，确认生长的六吋导电型4H碳化矽SiC单晶生长速度更快、稳定性佳且具重复性，确保未来技转厂商的市场竞争力与获利优势。

周明奇提到，中山大学团队已取得碳化矽晶体生长关键突破，将进一步透过技转，为台厂补足半导体产业链最尖端的战略know-how，第一阶段将会技转至长期产学合作的企业，善用研发成果助攻产业升级。

目前四吋、六吋矽晶圆为市场主流尺寸，并逐渐朝向八吋转进，展望未来，周明奇强调，团队已投入八吋导电型（n-type）4H碳化矽生长设备研发设计，今年将持续推进碳化矽晶体生长核心技术，也正打造高真空环境，研发生长半绝缘碳化矽（Semi-insulating Silicon Carbide; SI.-SiC）。

自二○○四年以来，中山大学晶体研究中心积极研发晶体生长设备及相关技术，持续携手医疗、半导体、光学、雷射等产业，累积十多年高温晶体研发经验，并获得台湾国科会及教育部高教深耕计画的经费挹注下，不断创新突破生长碳化矽晶体的核心技术，透过摄氏二千三百度以上的超高温生长出碳化矽晶体，是目前台湾学研单位中唯一具备生长大尺寸吋SiC晶体的研究中心。此外，晶体中心也在立陶宛与拉脱维亚成立两个海外研究中心，利用晶体中心所生长的雷射晶体，与立陶宛研究单位及企业共同开发高功率薄片雷射（Thin Disc Laser, TDL）系统，目前也有优异成果。