行家说消息  2023年3月3日ROHM建立了超高速驱动控制 IC 技术，可最大限度地提高 GaN 器件等高速开关器件的性能。

近年来，GaN器件因其高速开关特性的优势而被广泛采用，但是提高对GaN器件的驱动起到指导作用的控制IC的速度已成为一个问题。在这种情况下，ROHM 进一步发展了在电源 IC 中培育的超高速脉冲控制技术“Nano Pulse Control™”，并成功地将控制脉冲宽度从传统的 9 ns 大幅提高到 2 ns。

通过将该技术应用于控制 IC，我们成功地确立了可最大限度发挥 GaN 器件性能的超高速驱动控制 IC 技术。我们目前正致力于使用该技术的控制 IC 的商业化，并计划在 2023 年下半年开始样品出货 100V 输入 1ch DC-DC 控制器。

通过与 ROHM 的 GaN 器件“EcoGaN™ 系列”等组合，为基站、数据中心、FA 设备和无人机等各种应用的显着节能和小型化做出贡献。

展望未来，罗姆将继续追求以其擅长的模拟技术为中心的应用程序的可用性，并开发解决社会问题的产品。

大阪大学大学院工学研究科森裕介教授:多年来，GaN作为一种能够实现节能的功率半导体材料被寄予厚望，但一直存在质量和成本等种种问题。在这种情况下，ROHM 建立了可靠性更高的 GaN 器件的量产体系，并着手开发控制 IC 以最大限度地发挥其性能。这将是朝着广泛采用 GaN 器件迈出的一大步。为了真正展示功率半导体的性能，需要将晶圆、器件、控制IC、模块等各个技术有机地联系起来。在这方面，日本有很多有影响力的公司，包括ROHM。从我们正在研究的 GaN on GaN 晶片技术到 ROHM 正在研究的设备、控制 IC 和模块，我们希望通过与 ALL JAPAN 的合作为实现脱碳社会做出贡献。

最大限度发挥GaN器件性能的“超高速驱动控制”IC技术

背景

为了追求电源电路的小型化，需要通过高频开关使外围组件小型化。因此，需要能够充分发挥 GaN 元件等高速开关元件的驱动性能的控制 IC。这次，为了实现包含外围元件的解决方案提案，我们建立了最适合 GaN 器件的超高速驱动控制 IC 技术，并采用了 ROHM 在模拟电源方面的优势之一“Nano Pulse Control™”技术。

该技术配备了“Nano Pulse Control™”，通过在ROHM的垂直整合生产系统中结合电路设计、工艺和布局的模拟技术实现。独特的电路配置，控制IC的最小控制脉宽由常规的9ns大幅提升至2ns，单颗供电IC可进行高压至低压的降压转换，主要针对48V和 24V 应用。可配置为 60V 至 0.6V。最适用于与GaN元件组合的高频开关中的驱动周边部件的小型化，搭载该技术的DC-DC控制器IC（开发中）与使用EcoGaN™的电源电路相比，降低了86%一般产品. %安装面积减少。