欧洲 For2ensics 项目旨在设计、制造和测试 15 kV SiC IGBT 模块
行家说消息 欧洲 For2ensics 项目旨在设计、制造和测试 15 kV SiC IGBT 模块，将开发 DC/DC 转换器的商业原型，可在 2030 年之前推向市场。
在 IMB-CNM 的白室中处理的碳化硅二极管晶圆。
1 月，启动了 For2ensics（面向未来的可再生能源和可靠能源 SiC 解决方案），这是一个由欧盟资助超过 700 万欧元并由巴塞罗那微电子研究所 (IMB-CNM) 牵头的欧洲项目，该研究所是高级委员会的一部分科学研究（CSIC）。
四年多来，八个欧洲研究中心和公司——特别是来自瑞典的 II-VI Kista AB；Deep Concept，来自法国；德国不来梅大学；来自法国的超级电网研究所；与瑞士的日立 ABB 电网有限公司一起；同样位于瑞士的 Ecole Polytechnique Federale de Lausanne 和英国剑桥大学的 Chancellor Masters and Scholars 将致力于开发用于可再生能源的超高压碳化硅半导体器件.
For2ensics 继续研究碳化硅：一种几乎与金刚石一样坚固的半导体，具有比硅更好的特性，可以降低高功率设备的成本。此外，该项目旨在降低成本和芯片制造过程对环境的影响，“使用新方法进行材料生长和半导体加工”，IMB-CNM 的项目负责人兼研究员 Giulio Pellegrini 解释说。
DC/DC转换器商用样机
大多数新的可再生能源连接都是直流电的来源——在电动汽车充电基础设施的情况下，负载——因此开发直流配电基础设施特别有趣。
这需要低成本、非常高效和紧凑的 DC/DC 转换器，从 LV (<1500 V) 开始，可以承受高达 15 kV 的电压，目前市场上还没有商业解决方案，因此该项目已着手开发和演示可在项目完成后的短时间内（少于 3 年）推向市场的 DC/DC 转换器的商业原型。
“为了实现这样一个雄心勃勃的目标，项目团队决定专注于开发基于 SiC 的超高压 (UHV) 开关设备，这将显着简化转换器拓扑结构，并提供非常紧凑的设计它与高频操作相结合”，研究人员解释道。
For2ensics 将包括 15 kV SiC IGBT 模块的设计、制造和测试。器件技术的选择基于之前的研究，指出 SiC MOSFET 和 SiC IGBT 之间的平衡电压刚好高于 10 kV（IMB-CNM 多年来一直参与器件制造。基于碳化硅）。
除其他活动外，项目合作伙伴将负责生产用于 HVDC - MVDC 转换器应用的基于 SiC 的半导体；转换板的设计和制作（功率和控制部分的安装和所有元件的焊接，硬件和软件测试等），电力电子快速瞬变对其他原本没有的电气元件的影响分析旨在承受此类电压；以及串联模块的组装，用于转换器中的应用。
