行家说消息  2 月 2 日，NexGen Power Systems, Inc. 今天宣布提供工程样品和其行业最佳 700V 和 1200V NexGen Vertical GaN® 半导体器件的生产计划。NexGen 的 1200V 垂直 GaN e 模 Fin-jFET 是唯一在 1.4kV 额定电压下成功展示 >1 MHz 开关的宽带隙器件。自 2022 年年中以来，NexGen 的垂直 GaN 半导体将在有限的基础上向战略客户和合作伙伴提供样品，预计将于 2023 年第三季度开始全面生产。

“没有其他半导体器件可以与 NexGen Vertical GaN® 提供的性能特征相媲美，我们非常自豪能够成为第一家从我们位于纽约锡拉丘兹的工厂交付产品的公司，使用 GaN-on-GaN 技术的 700V 和 1200V 器件的生产样品，”该公司首席执行官 Shahin Sharifzadeh 说。“简而言之，NexGen 的半导体将使我们的客户能够开发他们无法使用的电源解决方案硅、碳化硅或硅基氮化镓技术。虽然许多人已经谈论了数十年，但到今年第三季度，NexGen 将交付生产质量的垂直 GaN 半导体器件，工作电压为 1200V，开关频率高达 10MHz，同时能够承受 1470V 的雪崩电压。

NexGen 的 FAB-1 拥有超过 66,000 平方英尺的总制造空间和 20,000 平方英尺的洁净室空间——使其成为世界上最大的专用 GaN 工厂。FAB-1 包含用于 GaN 外延生长、材料表征、器件设计和加工、电气表征、可靠性测试和产品开发的最先进工具。

“NexGen 是世界上第一家在锡拉丘兹 FAB-1 将垂直 GaN（GaN-on-GaN）功率半导体商业化的公司，”NexGen Power Systems 联席首席执行官 Shahin Sharifzadeh 说。“NexGen 的垂直 GaN 产品将从根本上改变 10 亿美元的功率半导体市场，技术、知识产权和制造专业知识以及在美国开发的创新我们期待在参议员舒默和纽约州的支持下继续取得这一进展，并扩大我们的在 CHIPS 法案的必要资助下，在纽约中部的足迹。”

如今，NexGen 在 FAB-1 拥有 50 多名员工，并计划到 2023 年扩大到 100 多人。