行家说消息  2 月 1 日，Solitron Devices 很高兴地宣布推出SD11740、1200V碳化硅 (SiC)、低 RDS(on) MOSFET。

除了为高可靠性/军事应用提供强大的高压 MOSFET 产品外，Solitron 正在扩展其碳化硅产品系列，以满足要求苛刻的商业和工业应用。SD11740采用 SOT-227 封装，提供8.6mΩ的超低 RDS(on)。

SOT-227 型封装的加入使 Solitron 基于 SiC 的产品在电动汽车、功率控制器、电机驱动、感应加热、固态断路器和高压电源中的更高功率应用成为可能。SD11740提供120A 的连续漏极电流。SOT-227 具有与铜散热器底座的 3kV 隔离功能，可实现出色的低热阻。该器件提供真正的开尔文栅极连接以实现最佳栅极控制。任一发射极端子均可用作主发射极或开尔文发射极。

SD11740设计用作功率半导体开关，性能优于硅基 MOSFET 和 IGBT。标准的栅极驱动特性允许真正直接替代硅 IGBTS 和 MOSFET，性能要好得多。超低栅极电荷和出色的反向恢复特性使它们成为开关电感负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想选择。