台基半导体将投2500万元用于碳化硅技术研发

2023-02-01

行家说消息 2015年起,武汉理工大学研究员章嵩及其团队与湖北台基半导体股份有限公司先后联合承担了2项国家重点研发计划项目,围绕半导体芯片制造领域对碳化硅材料的重大应用需求,聚焦“碳化硅薄膜生长的热力学和动力学调控”这一关键科学问题,自主研发了激光化学气相沉积核心技术。

2022年,湖北隆中实验室面向国家战略需求,立足湖北新能源汽车产业集群,积极支持具有相关研究基础的团队开展技术攻关,双聘章嵩研究员进入实验室工作,并设立SiC宽禁带半导体外延片创新研发平台,支持其进行碳化硅外延片及新能源汽车电力电子器件的产业化研究。目前,团队正在进行SiC宽禁带半导体外延片创新研发平台的建立和相关技术研发,取得了一系列成果。

依托强大的研发平台,湖北台基半导体股份有限公司聘任章嵩研究员作为“第三代半导体SiC材料和技术”首席科学家,并计划投入2500万元用于碳化硅第三代半导体材料与器件关键技术研发,开展碳化硅材料到器件全套流程的关键技术国产化研究,进行碳化硅功率半导体器件的批量生产。


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来源:襄阳日报