WAVEPIA 为射频能量应用提供优化的高功率 GaN 信号发生器

2023-01-30

行家说消息  2023 年 1 月 30 日 WAVEPIA是一家设计和开发 RF GaN HEMT 裸芯片和RF GaN 晶体管的公司,正在提供针对 RF 能量应用优化的信号发生器 – HPGP24S2520、WPG24S25250和WPG24S25500 。这些发生器集成了 WAVEPIA 的专利高功率 GaN锁相环 (PLL) (HPGP) 技术,与传统的固态和磁控管型信号发生器相比,为用户提供了一种控制频率、输出功率和相位的方法。


WAVEPIA 为射频能量应用提供优化的高功率 GaN 信号发生器

信号发生器的设计工作频率为 400 MHz、900-930 MHz 和 2.4-2.5 GHz。它们提供 10 W 至 5.0 KW 的输出功率,模块效率为 68%。发生器还集成了一个隔离器,从而确保增强的隔离和输出性能。

这些发生器经过进一步优化,可优化控制各种参数,例如输出功率、频率和相位,从而相应地满足预期应用的要求。与市场上提供的其他传统信号发生器相比,这允许更大的灵活性,同时保持卓越的输出功率性能。

此外,它们还配备了 VSWR 跟踪功能,可以持续监控反射功率,以确保信号发生器提供所需的性能。它们集成了软启动功能以限制浪涌电流并防止与短路相关的损坏,从而确保高度稳健性。

因此,这些发生器非常适合广泛的应用,包括等离子、照明、3D 打印、射频点火系统、微波炉以及测试和测量设备。