行家说消息 Onsemi 推出了 EliteSiC 作为其 SiC 系列的名称。它将在本周于拉斯维加斯举行的消费电子展 (CES) 上展出该系列的三个新成员——1700 V EliteSiC MOSFET 和两个 1700 V 雪崩级 EliteSiC 肖特基二极管。

凭借 1700 V EliteSiC MOSFET (NTH4L028N170M1)，Onsemi 提供了高功率工业应用所需的更高击穿电压 (BV) SiC 解决方案。两个 1700 V 雪崩级 EliteSiC 肖特基二极管（NDSH25170A、NDSH10170A）使设计人员能够在高温下实现稳定的高压操作，同时提供由 SiC 实现的高效率。

“通过提供一流的效率和更低的功率损耗，新的 1700 V EliteSiC 器件加强了我们 EliteSiC 系列产品的卓越性能和质量的高标准，并进一步扩展了 Onsemi 的 EliteSiC 的深度和广度，”说Onsemi 执行副总裁兼电源解决方案事业部总经理 Simon Keeton。“连同我们的端到端 SiC 制造能力，Onsemi 提供技术和供应保证，以满足工业能源基础设施和工业驱动供应商的需求。”

可再生能源应用不断转向更高电压，太阳能系统从 1100 V 到 1500 V 直流母线。为了支持这一变化，客户需要具有更高 BV 的 MOSFET。新型 1700 V EliteSiC MOSFET 提供 -15 V/25 V 的最大 Vgs 范围，使其适用于栅极电压增加至 -10V 的快速开关应用，从而提高系统可靠性。

在 1200 V、40 安培的测试条件下，1700 V EliteSiC MOSFET 实现了 200 nC 的栅极电荷 (Qg)——与接近 300 nC 的同等竞争器件相比，这据说是市场领先的。低 Qg 对于在快速开关、高功率可再生能源应用中实现高效率至关重要。

在 1700 V 的 BV 额定值下，EliteSiC 肖特基二极管器件在二极管的最大反向电压 (VRRM) 和峰值重复反向电压之间提供了改进的余量。新器件还提供出色的反向泄漏性能，最大反向电流 (IR) 在 25°C 时仅为 40 µA，在 175°C 时为 100 µA，明显优于通常在 25°C 时额定值为 100 µA 的竞争器件。