8寸、无缺陷！这家SiC企业再传捷报
今天，国产SiC又有喜讯传来——科友半导体成功研发出8寸SiC晶体。至此，国内已有8家企业/机构研发出了8英寸SiC衬底，数量占全球一半。
2022年科友半导体的SiC技术不断取得新突破：
今年10月，6英寸SiC晶体厚度上实现40mm突破；
12月29日，通过自主设计制造的电阻法长晶炉产出了直径超过8寸的SiC单晶，而且晶体表面光滑无缺陷，最大直径超过204mm。
据介绍，科友半导体从实现6寸SiC晶体稳定生长开始，就着手布局8寸SiC晶体研发，并得到了当地政府、科技等部门的关注和支持。
科友半导体实现8英寸SiC晶体突破是基于多方面技术成果的叠加和积累：
首先，他们在历经数年的研发实验、成功制备出八寸SiC电阻长晶炉。
其次，科友半导体还着力解决了大尺寸长晶过程中的温场分布不均匀以及气相原料碳硅比和输运效率等问题，同时专项攻关解决应力大导致的晶体开裂问题。
在多年无数次的探索、模拟、实验、重复、改进后，借助科友半导体自主研发的热场稳定性高、工艺重复性好的电阻长晶炉，终于在最近，其研发团队掌握了8寸SiC晶体生长室内温场分布和高温气相输运效率等关键技术，获得了品质优良的8寸SiC单晶，为实现下一步的8寸SiC晶体产业化量产打下坚实的基础。
科友半导体认为，取得8英寸SiC晶体尺寸突破极具历史意义。
目前，SiC在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天、5G通讯等领域都有广泛应用。在当前和今后的产业发展和产业替代中，SiC衬底的核心作用无可替代。但是在SiC产业链成本中，衬底的占比约为47%，是最“贵”的环节，同时，也是整个产业链中技术壁垒最高的环节，成为了SiC技术降低制造成本和产业规模化供给的关键制约因素。
为了降低单个器件的成本，扩大SiC衬底尺寸，在单个衬底上增加器件的数量是降低成本的主要途径。8寸SiC衬底将比6寸在成本降低上具有明显优势。国际上8寸SiC单晶衬底研制成功已有报道，但迄今尚未有产品投放市场。8寸SiC长晶工艺的突破，意味着科友半导体在单晶制备技术水平上达到了一个新的高度，提高企业市场竞争力，具有极其深远的意义。
科友半导体还表示，他们自成立伊始，就瞄准SiC衬底行业痛点和难点，积极推进产业化技术研发和积累，取得了一系列成果，形成了SiC长晶装备和晶体生长自主可控的技术体系。8寸SiC单晶研制成功是科友半导体在宽禁带半导体领域取得的又一个重要里程碑，也将有助于增强我国在大尺寸SiC单晶衬底的国际竞争力，助力我国宽禁带半导体产业的快速发展。随着科友半导体电阻炉的规模化应用和SiC衬底的产业化推进，生产出质量更高、成本更低的8寸SiC单晶衬底指日可待。
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