合计超37万片！这2个SiC项目产能加速释放
最近，国内2个SiC项目喜获新进展。
基本半导体：项目封顶，将建车规级SiC功率器件封装线等。
科友半导体：预计年底将生产4至5万片碳化硅衬底，未来将实现年产20至30万片碳化硅衬底的产能。
基本半导体
总部大厦封顶
12月14日，基本半导体官微宣布，其母公司青铜剑科技集团总部大厦正式封顶。
据介绍，该项目还将建设第三代半导体研发中心、车规级SiC功率器件封装线和中欧创新中心孵化器等，最终将形成具备全产业链研发和生产制造能力的第三代半导体产业基地。
报道称，青铜剑第三代半导体产业基地于2021年1月在深圳坪山举行了奠基仪式，占地8073.79平方米，总建筑面积近5万平方米，是深圳市2020年重大项目。
青铜剑第三代半导体产业基地效果图
今年10月，基本半导体建设的“新能源汽车用SiC MOSFET芯片”项目环境影响报告表对外公布，预计建成后将月产6寸SiC MOSFET和JBS 器件6000片，合计年产7.2万片。
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科友半导体
将年产30万片SiC衬底
继今年8月科友碳化硅项目一期建成投用以来，其生产车间里不断有新的设备引进、投产。最近，科友半导体宣布，他们目前每周的碳化硅衬底产能在2至3千片以上，预计年底将生产4至5万片。
据了解，该项目是由科友半导体与哈尔滨新区共同投资10亿元建设，于2021年7月正式开工。目前，生产车间里已经完成安装100台长晶炉，后续还要安装100台，预计全部达产后可形成年产10万片6英寸碳化硅衬底的生产能力。
科友第三代半导体产学研聚集区项目大楼
碳化硅晶体生长方面，科友半导体在6英寸碳化硅单晶厚度上突破40毫米。同时，他们研制的碳化硅感应长晶炉已实现99%的部件国产化替代，电阻式长晶炉也具备投产条件。
对于自身发展规划，科友半导体副总经理段树国表示：“未来两年，科友半导体将实现年产20至30万片碳化硅衬底的产能。”
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