行家说消息 12 月 13 日， Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) 与 IFP Energies nouvelles (IFPEN) 签署了一项协议，IFPEN 是一家法国能源、交通和环境领域的公共研究和培训机构，将开发使用 GaN 器件的汽车逆变器。

CGD 于 2016 年由 Giorgia Longobardi 博士和 Florin Udrea 教授从剑桥大学工程系的电力和能量转换小组中分离出来，设计、开发和商业化使用硅基 GaN 的功率晶体管和 IC。

“技术创新是 IFPEN 所有活动的核心。因此，IFPEN 在这款新的汽车逆变器设计中选择了 CGD 的 ICeGaN GaN HEMT ，我们感到特别兴奋，”联合创始人兼首席执行官 Longobardi 说。“IFPEN 也与 CGD 一样相信，与主要参与者的密切合作对于任何项目的成功都是必不可少的，”她补充道。

Gaëtan 说：“与 CGD 的这种合作关系是我们未来在电动汽车电力电子领域活动的关键要素，特别是下一代逆变器需要技术步骤来减小尺寸和提高功率密度水平，同时挑战成本，” IFPEN 移动业务部总监 Monnier。“我们希望与这家年轻、充满活力、极富创新精神的公司合作，以应对对电动汽车行业未来至关重要的雄心勃勃的挑战。”

该伙伴关系结合了两个高度互补的专业领域。据称，IFPEN 了解汽车市场及其性能目标，在逆变器和软件开发方面拥有强大的地位，对所需的算法和设备有深入的了解。CGD 的 GaN 技术造就了据称是业界首个易于使用且可扩展的 650V GaN HEMT 系列。该公司的 ICeGaN H1 系列器件是单芯片增强型 HEMT，可以像 MOSFET 一样驱动，不需要特殊的栅极驱动器、复杂且有损耗的驱动电路、负电压电源要求或额外的钳位组件。ICeGaN HEMT 不需要级联结构，不需要复杂的多芯片配置，也不需要热复杂的集成解决方案。反而，它们包含一个带有嵌入式专有逻辑的单芯片解决方案，可以与标准栅极驱动器或控制器耦合。据说设备非常可靠，适合苛刻的应用环境（如汽车市场）。