2家GaN企业联手，奔赴数十亿级市场
10 月 10 日，英国IQE宣布与韩国SK siltron达成战略合作协议。
根据公告，双方将合作开发GaN外延片（包括硅基和碳化硅基），目标应用包括射频和电力电子市场。他们认为，这两大领域为GaN器件提供了数十亿美元的机会。
IQE的前身是Epitaxial Products International Ltd（EPI），1999年与美国分子束外延企业QED合并后更名为IQE，之后在伦敦证券交易所上市。2010年他们收购了NanoGaN；2012年还收购了RF Micro Device的分子束外延外延生长制造部门；2013年收购了Kopin Wireless，历经多年，他们在GaN-on-SiC和硅基GaN领域实现了技术领先。
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那么，IQE与SK siltron的合作将会带来哪些影响呢？
双方的合作既包括氮化镓射频应用，也包括氮化镓功率器件应用，“行家说三代半”今天仅从射频领域作出分析。
● GaN-on-SiC成本有望下降一半
目前，除了Qorvo和恩智浦等企业外，大多数企业GaN-on-SiC工艺是在4寸晶圆上运行。而2013 年 5 月 ，IQE就联合II-VI推出了6寸SiC基氮化镓外延片。
前段时间（2022年9月），SK Siltron刚刚宣布与韩国RFHIC成立一家合资企业，开发氮化镓相关的技术。
SK siltron目前也有6寸甚至8寸的SiC衬底，那么通过导入IQE的外延技术，如下图所示，相比4寸技术，6寸SiC基氮化镓器件的成本有望下降一半，那么RFHIC的产品将具有更大的成本优势。
● GaN-on-Si成本下降一个数量级
在硅基氮化镓方面，IQE的外延技术也较为领先，2014 年 4 月 ，IQE为MACOM提供8寸硅基射频氮化镓外延片；2016 年 5 月 ，IQE 和 imec 在8寸硅基晶圆上开发了650V GaN器件；2017年12月 ，IQE和麻省理工学院、 imec 等开发了8寸的1200V硅基GaN器件；2022 年 5 月，IQE与 Porotech合作开发12寸的硅基氮化镓microLED。
对于microLED和功率器件来说，晶圆尺寸越大，器件成本越低，而对于射频器件来说，GaN-on-Si一旦实现技术突破，将比GaN-on-SiC更具成本优势，如下图所示，仅衬底成本就下降至少一个数量级：
SK siltron在硅衬底方面也是实力突出，他们是全球前五大硅晶圆供应商，未来三年内投资1.05万亿韩元（约合55亿人民币），用来扩大12英寸硅晶圆产能，新的产线预计于2022年量产。
IQE不仅在跟SK公司开发硅基氮化镓射频技术，2021年10月，他们还与 GlobalFoundries签署战略协议，合作开发硅基氮化镓技术。
此外，意法半导体、英飞凌等众多企业都看好硅基氮化镓，前段时间，意法半导体已经跟MACOM合作，要将6寸GaN-on-Si扩大到8寸线生产。
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