行家说消息 2022年10月4日，Nikkan报道称，日立功率器件株式会社计划到 2026 财年将其碳化硅 (SiC) 功率半导体产能提高两倍，以应对汽车和电力系统日益增长的需求。该公司将投资数百亿日元，以增加其批量生产委托工厂的能力，并在其沿海工厂开发前端工艺设施。2025财年下半年，公司将开始量产具有独特结构的下一代产品“TED-MOS”，以及在新生产设施中开发的下一代产品。

日立功率器件目前在临海工厂生产以铁路为主的 SiC 功率半导体，前段工序在临海工厂，后段工序在山梨工厂生产。为了量产汽车和电力系统的新产品，公司决定投资开发设施和提高产能。

TED-MOS 将于 2025 财年下半年量产，是一种具有日立独特结构的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。它的特点是提高了 SiC 功率器件的耐用性和低功耗特性，并于 2021 年开始提供样品。具有更高性能的下一代产品预计将在 2025 财年开始量产前量产，并在 2023 年开始样品出货前加速开发。两者都可以通过本次投资的生产设备进行量产。

SiC功率半导体的成本据说是硅(Si)产品的三倍左右，降低成本是广泛使用的课题。在日立功率器件正在开发的下一代产品中，该公司的目标是通过设计衬底制造方法和形成 SiC 晶体层的外延工艺，使价格范围低于 Si 产品的两倍。