行家说消息   瑞典 GaN-on-SiC 外延片制造商 SweGaN 已完成 A 轮融资，总额为 1200 万欧元。本轮融资由 Intertech Ventures、Mount Wilson Ventures 和领先的欧洲投资者 Atlantic Bridge 共同领投，瑞典 STOAF 和全球无晶圆半导体领导者联发科参与，形成了强大的美国、台湾和欧洲全球网络。

SweGaN 的创新 GaN 半导体外延工艺实现了高性能，并在数十亿美元的基于 GaN 的射频和电源市场开辟了新的应用。该公司表示，它的 QuanFINE 无缓冲 GaN-on-SiC 外延晶片使客户能够达到新的器件性能和可靠性水平。该公司拥有 30 多个付费客户，并具有在欧洲、美国和亚洲广泛应用的资格。

这项投资使 SweGaN 能够显着提高产能，以满足 5G 基站、国防雷达、低轨道卫星通信和电动汽车车载充电器主要供应商的市场需求。此外，融资资金支持公司扩大其执行团队并增加工程、销售和生产人员的计划。

在投资的同时，SweGaN 还宣布任命 Jr-Tai 'Ted' Chen 为首席执行官（如上图所示）。Ted 于 2014 年共同创立了 SweGaN，并作为其 CTO 发明了该公司专有的 QuanFINE 技术。

“我很高兴介绍 Ted Chen 担任 SweGaN 的新任首席执行官，并期待我们继续共同努力，以实现 SweGaN 的战略、愿景和面向未来的目标，以市场上最好的 GaN on SiC 技术为行业服务。自从创办 SweGaN 以来，Ted 表现出非凡的决心、热情和专业成长，他完全有能力带领 SweGaN 踏上成为 GaN-on-SiC 市场主导者的征程的下一章，”Jonas Nilsson 说, SweGaN 董事长。

“此外，我很自豪地向 SweGaN 董事会介绍新成员，并完成了非常成功的一轮投资，这两者都将显着推动 SweGaN 的增长轨迹，”他说。新董事会成员包括 InterTech Ventures 的 Fred Chang、Atlantic Bridge 的 David Lam 和半导体制造高管 Walter Wohlmuth

Atlantic Bridge 普通合伙人 David Lam 表示：“随着我们从硅材料转向第三波半导体材料，GaN 和 SiC 有望占据主导地位。SweGaN 革命性的 GaN on SiC 技术将这两种关键材料结合在一起，实现了当今根本无法实现的射频和功率性能特性。在过去的十年里，作为半导体投资者，我会见了许多企业家并评估了许多创新技术，我相信在 Ted 的领导下，SweGaN 最好的日子即将到来。”

SweGaN 的联合创始人兼首席执行官 Jr-Tai Chen 表示：“这一轮战略融资使我们能够将 SweGaN 提升到一个新的水平，并在我们的增长之旅中更上一层楼，并使我们能够执行 SweGaN 的愿景和战略。为了满足爆炸性的市场需求，SweGaN 的路线图目标是建设新的生产设施并扩大我们的团队，以每年交付数万片外延晶圆。我非常自豪能够带领 SweGaN 和我们的专门团队完成这些正在进行的任务。”