仙湖半导体推出1200V SiC 全桥和整流器模块

行家说消息  10 月 1 日 ，仙湖半导体Lakesemi 宣布开发出新一代带整流模块的碳化硅全桥——LSCT30PV120B9G。

这种新模块的导通电阻非常低。此外，它还具有低电容、高速开关、高开关频率等特点，有助于提高设备的快速响应和节能。因此，它具有广泛的应用，如电机驱动、开关电源和UPS。

LSCT30PV120B9G在带整流模块的碳化硅全桥方面更胜一筹。其VDSS指标达到1200V。该模型具有 88mΩ 的导通电阻和 347nc 的总栅极电荷。热冲击的 1ms 时，热工程师可能会受益于其 0.28°C/W 的超低瞬态热阻抗。 

关于整流器，其重复峰值反向电压达到1800V，最大正向电流有效值为50A，浪涌电流（@tp=10 ms）为315A。该整流器在复杂的工作环境中仍能保持良好的稳定性。

该模块的工作温度范围 (Ta) 为 -40 °C 至 +125 °C，确保在工业和恶劣的热环境中使用。同时采用先进的封装技术，尺寸仅为62.8mm×56.7mm×16.5mm，可用于空间狭小的地方。