世纪金光第二代1200V SiC MOSFET器件

行家说消息  9月26日，世纪金光推出新款SiC 功率器件——第二代1200V 80mΩ SiC MOSFET的器件CGE2M120080，该系列具有更低导通电阻，高开关速度，低开关损耗等特性，主要用于开关电源、电机驱动器、电动汽车OBC、充电桩、光伏逆变等领域。

新产品单位面积导通电阻RDS(on)相对于上一代产品下降了大约53%，栅总电荷量下降52%，使“漏源导通电阻×栅漏电荷（RDS(on)×Qgd）”降低了大约78%，有效提升开关速度，从而使开关损耗减小超过20%，整体性能表现居先进水平。

此产品为世纪金光第二代MOSFET平台下首款产品，我们后续将继续扩展SiC MOSFET功率器件产品线，开发更多电压电流规格的产品，提升器件性能、降低开关损耗，提升设备效率，持续地为客户提供更优质的产品。

与第一代产品相比，通过沟道及JFET优化技术，单位面积导通电阻RDS(on)降低了大约53%，主要应用电流比导通电阻均达到3.5mΩ·cm2以下；RDS(on)*Qgd下降78%，约为1500 mΩ·nC；栅总电荷量下降52%，低至54.5nC，为实现更高速应用奠定基础。

第二代SiC MOSFET器件，改进设计工艺，优化器件封装，在温度稳定性方面，尤其是高温状态下，器件参数变化更小。有效降低应用中热设计难度，减轻散热压力。

采用二极管增强结构设计，有效降低体二极管导通压降，较前一代导通压降下降超过1V。感性负载下提供更强的电流续流能力，有效降低能量损耗，提高系统能量利用率。