瞻芯电子完成了首批6英寸SiC MOSFET晶圆流片

2022-09-30

行家说消息  9月30日,瞻芯电子宣布自建的车规级SiC晶圆厂自主完成了首批6英寸SiC MOSFET晶圆流片,产品参数达到设计要求,良率指标正常,标志着6英寸SiC MOSFET工艺平台正式打通。

瞻芯电子SiC晶圆厂继2022年7月22日正式投片后,用一个半月时间就打通了SiC MOSFET工艺平台,再次展现了瞻芯团队强大的的技术整合能力和攻关能力。

此外,早在2022年8月5日第一片SiC 二极管(SBD)晶圆就在瞻芯电子SiC晶圆厂流片成功,良率指标优异,就表明6英寸SiC SBD工艺平台已打通。