SemiQ 宣布推出 1200V 40mΩ 碳化硅 MOSFET

2022-09-30

行家说消息    9 月 29 日,SemiQ 今天宣布推出其第二代碳化硅功率开关,即 1200V 40mΩ SiC MOSFET,扩展其 SiC 功率器件产品组合。该 MOSFET 补充了公司现有的 650V、1200V 和 1700V 的 80mΩ SiC MOSFET 和 SiC 整流器。

SemiQ 设计了这种 MOSFET,以提供传导和开关损耗的最佳平衡,以使尽可能广泛的应用受益。

SiC MOSFET 可为电动汽车、电源和数据中心等高性能应用带来高效率,并且经过专门设计和测试,可在极端环境中可靠运行。与传统硅 IGBT 相比,SemiQ 的 MOSFET 开关速度更快,损耗更低,通过减小尺寸、重量和冷却要求实现系统级优势。

SemiQ 总裁兼总经理 Michael Robinson 表示:“非常感谢那些为构建和验证我们最新的 SiC 功率 MOSFET 而不懈努力的员工、同事、支持者和供应商。”

SemiQ 的新型 1200V 40mΩ SiC MOSFET 采用 TO-247-4L 和 TO-247-3L 封装,不久将提供多种模块封装。