Ampleon 在 EuMW 展示新的 700W L 波段 GaN-SiC HEMT

行家说消息  在意大利米兰（9 月 27 日至 29 日）举行的欧洲微波周 (EuMW 2022) 的 #B36 展位上，荷兰奈梅亨的 Ampleon Netherlands BV 展示了其在氮化镓 (GaN) 和 LDMOS 技术方面的最新解决方案和产品，包括那些针对无线基础设施、航空电子设备/国防、非蜂窝通信、烹饪/除霜以及工业、科学和医疗 (ISM) 相关应用。

一个关键亮点是新型 CLL3H0914L-700 碳化硅 (GaN-SiC) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 上的氮化镓。这种坚固耐用的 GaN 晶体管针对需要长脉冲宽度和高占空比的雷达实施进行了优化。该晶体管经过精心设计，可通过单个晶体管实现超过 700W 的峰值输出功率，同时在 50V 的电压下工作，具有超过 70% 的行业领先效率，并且针对长脉冲应用进行热设计，例如脉冲宽度（~2ms ) 和 20% 的占空比。

L 波段 GaN HEMT 的卓越性能在展位上展示的各种应用参考设计中得到了展示，包括用于国防/航空航天波段（960-1250MHz 和 1030-1090MHz）以及 L 波段地基雷达（1200- 1400兆赫）。

CLL3H0914LS-700 高功率密度和低热阻 HEMT 现已全面量产。单元可直接从 Ampleon 或授权分销合作伙伴 RFMW 和 Digi-Key 获得。ADS 和 MWO 中的大信号模型可以通过 Ampleon 的网站获得。