8寸！天岳公布了

最近，ICSCRM 2022在瑞士达沃斯举办，涌现了许多的碳化硅新技术成果，其中，天岳先进在会上宣布，他们成功研发了8英寸碳化硅衬底，具有良好的结晶质量。

截至目前，国内外已有12家企业成功研发了8英寸碳化硅衬底。

来源：行家说

此外，ICSCRM 2022还有多项值得关注的新技术：

● 韩国陶瓷技术研究院：成功开发了高速SiC长晶技术，速度提高了4倍，4小时就可生长SiC单晶；

● 名古屋工业大学：氢离子注入法解决了双极退化难题，有望为汽车领域提供低成本、高可靠性的SiC功率半导体。

天岳8寸SiC研发成功

投资1亿元推进量产化

9月19日，天岳先进发文称，他们参加了在瑞士达沃斯举办的ICSCRM 2022会议，并就8英寸碳化硅衬底最新研发情况作出汇报。

天岳表示，“目前公司8英寸碳化硅衬底研发进展顺利，晶型均一稳定，具有良好的结晶质量。”而且，天岳先进从籽晶入手，在粉料合成、热场设计、工艺固化、过程控制、加工检测等全流程实现技术自主可控。

晶型拉曼图谱检测报告

接下来，天岳将在前期自主扩径实现8英寸产品研发成功的基础上，继续加大技术和工艺突破，并根据市场需求，积极布局产业化。

“行家说三代半”从天岳的2022年半年度报告发现，他们计划投资1亿元建设“8英寸宽禁带碳化硅半导体单晶生长及衬底加工关键技术项目”。

韩国陶瓷技术研究院：

SiC长晶速度提升400%

在ICSCRM 2022会议上，韩国陶瓷技术研究院宣布，他们成功开发了一种能够快速生长SiC功率半导体单晶衬底的技术。

通常，碳化硅单晶是通过“PVT升华法”制造的，生长速度较慢，仅为200-400μm/h，是硅单晶生长的几十到百分之几，这不仅影响碳化硅生产率，也会导致出现良率不佳等问题。

为了改善这一问题，韩国陶瓷技术研究院开展了利用再生碳化硅原料制造功率半导体的研究。

该团队将Hana材料公司开发的碳化硅废料进行回收，作为长晶原料，然后用PVT法进行长晶。

根据报告，他们通过这种方式成功培育出直径为2英寸（50毫米）的碳化硅单晶，仅用了4个小时，长晶速率达到 1.3-1.7 mm/h ，比传统PVT法快 4 倍。

更为重要的是，速度加快后，晶体质量水平与传统PVT法相同，没有出现质量下降的情况。此前的位错密度为 ~2 x 103/cm2，他们采用新原料后晶体的位错密度为~3 x 103/cm2。

韩国陶瓷研究院的 Sungmin Jung 博士说：“事实证明，通过选择原材料，可以以高生长速度制造出质量优良的碳化硅单晶，有助于提高生产力。”

名古屋工业大学：

氢离子注入法解决SiC双极退化难题

名古屋工业大学 ICSCRM 2022会议上公布一种新技术——在不降低功率半导体电气特性的情况下，他们发现氢离子注入可抑制SiC功率半导体内部堆垛层错的扩展，有助于解决双极退化问题，实现低成本、高可靠性的SiC功率半导体。

SiC外延片截面结构示意图。(a)没有氢离子注入，(b)有氢离子注入

在传统的SiC功率半导体中，由基面位错引发的堆垛层错扩大会导致出现双极退化现象，从而影响到SiC功率半导体的长期可靠性。

因此，名古屋工业大学开发了具有MeV级加速能量的离子注入器，通过氢离子注入在外延/衬底界面附近引入氢离子和点缺陷，并在高温退火工艺之前进行氢离子注入，成功抑制了堆垛层错的扩展，解决了SiC半导体的双极退化问题。

(左) 未注入氢离子的二极管，(右) 注入氢离子的二极管

名古屋工业大学表示，未来氢离子注入法有望降低SiC功率半导体的成本，并扩展到需要长期可靠性的汽车领域。

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